भाग संख्या:MSCSM120SKM11CT3AG
माउन्टिंग का प्रकार:चेसिस माउंट
वोल्टेज - अलगाव:4000Vrms
भाग संख्या:MSCSM170AM058CT6LIAG
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:19800pF @ 1000V
तकनीकी:इस प्रकार से
भाग संख्या:MSCSM170AM039CT6AG
आरडीएस चालू:5ओम
स्पंदित नाली वर्तमान:1000 ए
भाग संख्या:MSCSM170AM058CD3AG
माउन्टिंग का प्रकार:चेसिस माउंट
परिचालन तापमान:-40 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
भाग संख्या:एमएससीएसएम170AM15CT3AG
प्रतिरोध पर नाली-स्रोत:15 मी
शक्ति का अपव्यय:862 डब्ल्यू
भाग संख्या:MSCSM170AM23CT1AG
विन्यास:2 एन चैनल (चरण चरण)
वीजीएस:20 वि
भाग संख्या:एमएससी40एसएम120जेसीयू3
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:55ए (टीसी)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.7V @ 1mA
भाग संख्या:एमएससी130एसएम120जेसीयू3
उत्पाद:आईजीबीटी सिलिकॉन कार्बाइड मॉड्यूल
वीएफ - फॉरवर्ड वोल्टेज:1.5 वी
भाग संख्या:MSCSM170AM45CT1AG
वीडीएसएस:1700 वी
वर्तमान - सतत नाली:64ए (टीसी)
भाग संख्या:MSCSM120DAM11CT3AG
वीएफ - फॉरवर्ड वोल्टेज:180 ए पर 1.5 वी
पतझड़ का समय:25 एनएस
भाग संख्या:एमएससीएसएम70AM10CT3AG
उत्पाद श्रेणी:असतत सेमीकंडक्टर मॉड्यूल
वीएफ - फॉरवर्ड वोल्टेज:100 ए पर 1.5 वी
भाग संख्या:एमएससी130एसएम120जेसीयू2
प्रकार:चॉपर को बढ़ावा दें
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज:- 10 वी, + 25 वी
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