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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | MSCSM120DAM11CT3AG | वीएफ - फॉरवर्ड वोल्टेज: | 180 ए पर 1.5 वी |
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| पतझड़ का समय: | 25 एनएस | पीडी - बिजली अपव्यय: | 1067 डब्ल्यू |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 10.4 ओम | Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 1.2 केवी |
ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल MSCSM120DAM11CT3AG SiC MOSFET पावर मॉड्यूल 4000Vrms
का उत्पाद विवरणMSCSM120DAM11CT3AG
MSCSM120DAM11CT3AG एक बूस्ट चॉपर 1200 V/254 एक पूर्ण सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर मॉड्यूल है।
की विशिष्टताMSCSM120DAM11CT3AG
| भाग संख्या | MSCSM120DAM11CT3AG |
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प्रकार
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MOSFET
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विन्यास
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1 चरण
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मौजूदा
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254 ए
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वोल्टेज
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1.2 केवी
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वोल्टेज - अलगाव
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4000Vrms
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माउन्टिंग का प्रकार
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चेसिस माउंट
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पैकेज / मामला
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मापांक
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की सुविधाएं MSCSM120DAM11CT3AG
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
| भाग संख्या | पैकेट |
| मैक्स4392ESA | एसओपी-8 |
| SSM2211SZ | एसओपी-8 |
| बीक्यू24305डीएसजीआर | WSON8 |
| TPS51275BRUKR | WQFN20 |
| MAX6129BEUK33 | SOT23-5 |
| बीएमसी150 | एलजीए14 |
सामान्य प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुक्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।
व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753
