STGW80H65DFB एकीकृत सर्किट चिप ट्रेंच गेट फील्ड-स्टॉप हाई स्पीड एचबी सीरीज आईजीबीटी ट्रांजिस्टर

एकीकृत सर्किट चिप
May 29, 2025
Brief: Discover the STGW80H65DFB Integrated Circuit Chip, a high-speed HB Series IGBT Transistor with a trench gate field-stop structure. Ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters, this 650V 80A device offers optimal efficiency with low saturation voltage and safe paralleling capabilities.
Related Product Features:
  • उच्च दक्षता के लिए उन्नत खाई गेट फील्ड-स्टॉप संरचना।
  • 650V collector-emitter breakdown voltage and 80A collector current.
  • उच्च गति स्विचिंग श्रृंखला न्यूनतम पूंछ धारा के साथ।
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 80A.
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient for safer paralleling.
  • समान प्रदर्शन सुनिश्चित करने वाला सख्त पैरामीटर वितरण।
  • Very fast soft recovery antiparallel diode for enhanced reliability.
  • Operating temperature range: -55°C to 175°C (TJ).
सामान्य प्रश्नोत्तर:
  • What is the maximum junction temperature of the STGW80H65DFB?
    The maximum junction temperature is TJ = 175°C.
  • What applications is the STGW80H65DFB suitable for?
    It is ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters.
  • Does the STGW80H65DFB support safe paralleling?
    Yes, its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution enable safe paralleling.
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