भाग संख्या:MT53E1G32D2NP-046 WT:B
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:- 30 सी
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:+ 85 सी
भाग संख्या:MT53E768M64D4HJ-046 WT:B
संगठन:768 एम x 64
आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स:1.1 वी
भाग संख्या:एमटी 53 ई 1 जी 64 डी 4 एचजे -046 एएटीःए
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:- 40 सी
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:+ 105 सी
भाग संख्या:MT53D512M32D2DS-046 AAT:D
मेमोरी का आकार:16 जीबीटी
स्मृति संगठन:512एम x 32
भाग संख्या:एमटी 53E512M64D2NW-046 WT:B
मेमोरी का आकार:32 जीबीटी
डेटा बस चौड़ाई:64 बिट
भाग संख्या:एमटी 53ई256एम32डी1केएस-046 डब्ल्यूटीःएल
वोल्टेज - आपूर्ति:1.06 वी ~ 1.17 वी
परिचालन तापमान:-30 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
भाग संख्या:MT41K256M16TW-107 XIT:P
संगठन:256 एम x 16
पहूंच समय:20 एनएस
भाग संख्या:MT53E1G32D2NP-053 आरएस WT:सी
भंडारण क्षमता:32 जीबी
घड़ी की आवृत्ति:2.133गीगाहर्ट्ज़
भाग संख्या:MT3ई256एम32डी1केएस-046 एआईटीःएल
उत्पाद श्रेणी:घूंट
माउंटिंग प्रकार:सतह माउंट
भाग संख्या:MT53E512M32D1ZW-046BWT:बी
आपूर्ति वोल्टेज - मिन:1.7 वी
आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स:1.95 वी
भाग संख्या:MT53E1G64D4SP-046 WT:सी
उत्पाद श्रेणी:घूंट
प्रकार:एसडीआरएएम - एलपीडीडीआर4
भाग संख्या:एमटी 53 ई 1 जी 64 डी 4 एनडब्ल्यू-046 डब्ल्यूटीःसी
मेमोरी का आकार:64 जीबीटी
संगठन:1 जी एक्स 64
