भाग संख्या:MT53E512M32D1NP-046 WT:B
पैकेज / मामला:200-डब्ल्यूएफबीजीए
आकार:10 मिमी x 14.5 मिमी
भाग संख्या:MT62F1G64D8CH-031 WT:B
मेमोरी का आकार:64 जीबीटी
स्मृति संगठन:1 जी एक्स 64
भाग संख्या:MT40A2G8SA-062E IT:F
आकार:7.5 मिमी x 11 मिमी
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:15एनएस
भाग संख्या:MT40A1G16TB-062E IT:F
तकनीकी:एसडीआरएएम - डीडीआर4
छद्म ओपन-ड्रेन I/O:1.2 वी
भाग संख्या:MT40A1G16KH-062E एआईटी:ई
प्रकार:एसडीआरएएम - डीडीआर4
डेटा बस चौड़ाई:16 बिट
भाग संख्या:S80KS5122GABHA023
मेमोरी इंटरफ़ेस:हाइपरबस
घड़ी की आवृत्ति:200 मेगाहर्ट्ज
भाग संख्या:MT40A512M16LY-062E AAT:ई
वोल्टेज आपूर्ति:1.14 वी ~ 1.26 वी
मेमोरी प्रारूप:घूंट
भाग संख्या:S27KS0642GABHV020
आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स:2 वि
आपूर्ति वोल्टेज - मिन:1.7 वी
भाग संख्या:S27KS0642GABHI033
स्मृति संगठन:8एम एक्स 8
इंटरफ़ेस बैंडविड्थ:400 एमबीटी/एस
भाग संख्या:MT60B1G16HC-48B:ए
तकनीकी:एसडीआरएएम - डीडीआर5
स्मृति संगठन:1 जी एक्स 16
भाग संख्या:MT62F1536M64D8EK-023 AAT:C
संगठन:1536 एम x 64
मेमोरी का आकार:96 जीबीटी
भाग संख्या:MT62F1536M64D8CZ-023 ऑटो:सी
प्रीफैच आर्किटेक्चर:16n-बिट या 32n-बिट
आवृति सीमा:1067–5 मेगाहर्ट्ज
