भाग संख्या:S26HS512TGABHV010
वोल्टेज - आपूर्ति:1.7 वी ~ 2 वी
नमी संवेदनशील:हाँ
भाग संख्या:S26HS512TGABHV013
डीडीआर पढ़ें:166 मेगाहर्ट्ज
उत्पाद की स्थिति:सक्रिय
भाग संख्या:S70KS1282GABHB030
तकनीकी:पीएसआरएएम (छद्म SRAM)
मेमोरी प्रकार:परिवर्तनशील
भाग संख्या:S27KL0642GABHI023
समर्थन करना:330 µA
नमी संवेदनशील:हाँ
भाग संख्या:S26HS01GTGABHM020
घड़ी की दर:50 मेगाहर्ट्ज
एसपीआई फास्ट रीड:20.75 एमबीपीएस
भाग संख्या:S70KL1282GABHI023
अधिकतम घड़ी दर:200 मेगाहर्ट्ज
अधिकतम पहुंच समय:35 एनएस
भाग संख्या:S27KS0643GABHB023
मेमोरी का आकार:64 एमबीटी
घड़ी की आवृत्ति:200 मेगाहर्ट्ज
भाग संख्या:S70KL1283GABHV023
डेटा बस:8 बिट
घड़ी की दर:200 मेगाहर्ट्ज
भाग संख्या:S27KS0642GABHI020
स्मृति संगठन:8एम एक्स 8
मेमोरी इंटरफ़ेस:हाइपरबस
भाग संख्या:S70KS1283GABHB023
मेमोरी प्रारूप:पीएसआरएएम
मेमोरी इंटरफ़ेस:एसपीआई - ऑक्टल आई/ओ
भाग संख्या:S80KS5123GABHA020
प्रारंभिक पहुँच समय:35 एनएस
बैंडविड्थ:400 एमबीटी/एस
भाग संख्या:S27KL0642GABHI020
घड़ी की आवृत्ति:200 मेगाहर्ट्ज
पहूंच समय:35 एनएस
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