भाग संख्या:MTFC128GAZAQJP-IT
पैकेज:153-वीएफबीजीए
मेमोरी इंटरफ़ेस:eMMC
भाग संख्या:MTFC128GAZAQJP-AAT
मेमोरी का आकार:1 टीबी
इंटरफेस:eMMC
भाग संख्या:MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
तकनीकी:फ्लैश - नंद
स्मृति संगठन:512एम x 8
भाग संख्या:MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
संगठन:8जी एक्स 1
इंटरफ़ेस प्रकार:एसपीआई
भाग संख्या:MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
श्रृंखला:MT29F
भाग संख्या:MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F
स्मृति संगठन:1 जी एक्स 8
पैकेज / मामला:वीएफबीजीए-63
भाग संख्या:MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
मेमोरी प्रकार:गैर वाष्पशील
मेमोरी इंटरफ़ेस:समानांतर
भाग संख्या:MT29F8G08अददाह4-आईटी:डी
कार्यक्रम पृष्ठ:200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)
स्मृति संगठन:1 जी एक्स 8
भाग संख्या:MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
घुड़सवार शैली:एसएमडी/एसएमटी
पैकेज / मामला:टीएसओपी-48
भाग संख्या:MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F
आपूर्ति वर्तमान (अधिकतम):35 एमए
उत्पाद का प्रकार:नैंड फ्लैश
भाग संख्या:MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G
चिपसेट सत्यापन:एन/ए
एफबीजीए कोड:एनएक्स020
भाग संख्या:MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
आकार:8 मिमी x 6 मिमी
मेमोरी इंटरफ़ेस:एसपीआई
Hindi
