भाग संख्या:S28HS01GTGZBHV033
न्यूनतम चक्र:500
प्रोग्राम/मिटा चक्र:4KB सेक्टर
भाग संख्या:S70KS1282GABHB033
पता स्थान शामिल है:256 केबी सेक्टर
आंकड़ा शुचिता:256 एमबी डिवाइस
भाग संख्या:S70KS1283GABHV020
पीएसआरएएम:128 एमबी
आधा-पृष्ठ:16 बाइट
भाग संख्या:S80KS5122GABHV020
आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स:2 वि
आपूर्ति वोल्टेज - मिन:1.7 वी
भाग संख्या:S80KS5123GABHV020
स्मृति संगठन:64M x 8
आपूर्ति वर्तमान - मैक्स:44 एमए
भाग संख्या:S80KS2562GABHM020
घूंट:256 एमबी
समर्थन करना:105 डिग्री सेल्सियस
भाग संख्या:S27KL0643GABHI023
डेटा बस:8 बिट
घड़ी की दर:200 मेगाहर्ट्ज
भाग संख्या:S26HS512TGABHV010
वोल्टेज - आपूर्ति:1.7 वी ~ 2 वी
नमी संवेदनशील:हाँ
भाग संख्या:S26HS512TGABHV013
डीडीआर पढ़ें:166 मेगाहर्ट्ज
उत्पाद की स्थिति:सक्रिय
भाग संख्या:S70KS1282GABHB030
तकनीकी:पीएसआरएएम (छद्म SRAM)
मेमोरी प्रकार:परिवर्तनशील
भाग संख्या:S27KL0642GABHI023
समर्थन करना:330 µA
नमी संवेदनशील:हाँ
भाग संख्या:S26HS01GTGABHM020
घड़ी की दर:50 मेगाहर्ट्ज
एसपीआई फास्ट रीड:20.75 एमबीपीएस
