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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | IPI80N06S4-07 | ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): | 60 वी |
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| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 80 ए (टीसी) | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 56 एनसी @ 10 वी |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 79W (टीसी) | परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| प्रमुखता देना: | 60V Automotive N-Channel MOSFET,80A Power MOSFET Transistor,AEC Q101 Qualified N-Channel MOSFET |
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IPI80N06S4-07 Integrated Circuit Chip OptiMOS™-T2 Power Transistors 60V Automotive N-Channel MOSFETs Product Overview Of IPI80N06 The IPI80N06S4-07 is a 60V, enhancement-mode OptiMOS™-T2 automotive N-channel power MOSFET transistor housed in a PG-TO262-3 package. Engineered for demanding automotive and industrial power applications, it delivers high current capability, low on-resistance, and reliable performance across an extended temperature range. Specifications Of IPI80N06
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