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CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48

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एम्बेडेड समाधान

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

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—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

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CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48

CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48
CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48

बड़ी छवि :  CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: CY62167EV18LL-55BVXI
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: मानक पैकेज
प्रसव के समय: 3-5 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: प्रति दिन 10000 टुकड़े
संपर्क करें

CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48

विवरण
प्रमुखता देना:

CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip

,

CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV18LL-55BVXI Memory IC Chip MoBL™ SRAM Memory IC 16Mbit CMOS Asynchronous SRAM Memory VFBGA-48 [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands.

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सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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