IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Name: IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPP65R190CFD
Price: विनिमय योग्य USD
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

बड़ी छवि : IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IPP65R190CFD

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	TO-220-3
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता:	प्रति दिन 10000 टुकड़े

संपर्क करें

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

विवरण

भाग संख्या:	IPP65R190CFD	ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss):	650 वी
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	14ए (टीसी)	आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:	190mOhm @ 6.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.5V @ 320µA	शक्ति का अपव्यय:	77W (टीसी)
प्रमुखता देना:	650V Power MOSFET , 190mOhm Integrated Circuit Chip , 14A CoolMOS™ N-Channel

IPP65R190CFD Integrated Circuit Chip 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors Product Overview Of IPP65R190 IPP65R190 is a 650V CoolMOS™ CFD2 N-Channel Power MOSFET transistor from Infineon. This second-generation high-voltage MOSFET features an integrated fast body diode, offering improved energy efficiency and superior EMI behavior compared to competitor parts. Specifications Of IPP65R190 Parameter Value Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel Vds

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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कोशिकाओं की संख्या: 1

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

650V Power MOSFET

190mOhm Integrated Circuit Chip

14A CoolMOS™ N-Channel

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,