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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | REF200AU | शुद्धता: | ± 0.25% |
|---|---|---|---|
| वोल्टेज - इनपुट: | 2.5V ~ 40V | मौजूदा उत्पादन: | 100μA |
| परिचालन तापमान: | -25°C ~ 85°C | समारोह: | वर्तमान दर्पण, वर्तमान सिंक/स्रोत |
| प्रमुखता देना: | 100μA करंट सोर्स आईसी चिप,±0.25% सटीकता एकीकृत सर्किट चिप,2.5V ~ 40V इनपुट वोल्टेज मोनोलिथिक चिप |
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REF200 एक एकल मोनोलिथिक चिप पर तीन सर्किट बिल्डिंग-ब्लॉक को जोड़ता है: दो 100-µA करंट सोर्स और एक करंट मिरर। अनुभाग डाइइलेक्ट्रिक रूप से अलग किए गए हैं, जिससे वे पूरी तरह से स्वतंत्र हो जाते हैं। क्योंकि करंट सोर्स दो-टर्मिनल डिवाइस हैं, उन्हें समान रूप से करंट सिंक के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। प्रत्येक अनुभाग के प्रदर्शन को व्यक्तिगत रूप से मापा जाता है और कम लागत पर उच्च सटीकता प्राप्त करने के लिए लेजर-ट्रिम किया जाता है।
| सेंसिंग विधि | हाई या लो साइड |
|---|---|
| आपूर्ति वोल्टेज - अधिकतम | 40 V |
| आपूर्ति वोल्टेज - न्यूनतम | 2.5 V |
| ऑपरेटिंग सप्लाई करंट | 100 µA |
| सटीकता | 0.25 % |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान | -25 °C |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान | +85 °C |
| इनपुट वोल्टेज रेंज | 2.5 V से 40 V |
| यूनिट वजन | 76 mg |
| भाग संख्या | पैकेज |
|---|---|
| SDINBDA6-32G-ZA | BGA |
| SDINDDH6-256G-I | BGA |
| SDINBDG4-64G-H | BGA |
| SDINDDH6-32G-XI | BGA |
| SDINBDG4-32G-ZI | BGA |
| SDINBDG4-64G-ZI | BGA |
| SDINADF4-32G-H | BGA |
| SDINBDG4-32G-H | BGA |
| SDINDDH4-256G | BGA |
| SDINBDG4-8G-A | BGA |
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