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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | SVT2020N090SC1 | प्रकार: | सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET ट्रांजिस्टर |
|---|---|---|---|
| पैकेट: | D2PAK-7 | ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): | 900 वी |
| प्रमुखता देना: | 900 वी ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज सिलिकॉन कार्बाइड एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर,लो आरडीएसन सिलिकॉन कार्बाइड एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर,अल्ट्रा लो गेट चार्ज सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET ट्रांजिस्टर |
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SVT2020N090SC1 सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET पारंपरिक सिलिकॉन घटकों की तुलना में बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन और बढ़ी हुई विश्वसनीयता प्रदान करने के लिए उन्नत तकनीक का उपयोग करता है।कम ऑन प्रतिरोध और एक कॉम्पैक्ट चिप डिजाइन के साथ, यह एमओएसएफईटी न्यूनतम क्षमता और गेट चार्ज सुनिश्चित करता है, जिसके परिणामस्वरूप उच्चतम दक्षता, तेज परिचालन आवृत्तियां, बढ़ी हुई शक्ति घनत्व, कम ईएमआई और छोटे सिस्टम आकार होते हैं।
| भाग संख्या | पैकेज |
|---|---|
| PI7C9X2G312GPBNJE | 196-LBGA |
| DRV8353SMRTAT | 40-WFQFN |
| DRV8328DRUYR | 28-VFQFN |
| UCC5350SBQDRQ1 | 8-एसओआईसी |
| DRV8353FHRTAR | 40-WFQFN |
| DRV8714SQRHARQ1 | 40-VFQFN |
| DRV8328ARUYR | 28-VFQFN |
| LMG3411R050RWHR | 32-VQFN |
| TPS59603QDSGTQ1 | 8-WFDFN |
| UCC27282QDDARQ1 | 8-एसओआईसी |
| LMG3411R070RWHR | VQFN32 |
| DRV8106HQRHBRQ1 | 32-VFQFN |
| NCD57090CDWR2G | 8-एसओआईसी |
| NCV57090BDWR2G | 8-एसओआईसी |
| MAX16138ATA01/VY | 8-टीडीएफएन |
| MAX16150CWT | 6-WFBGA |
| MAX16127TC/V | 12-WFQFN |
| ADM1266ACPZ | 64-WFQFN |
| TPS35AA38AGADDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS3436CCCBGDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS35AA17AGADDFR | SOT-23-8 |
| TPS3435CAKAGDDFR | SOT-23-8 |
| TPS35CA43DACDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS36CA66BECDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37F010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS37A010122DYYRQ1 | SOT-23-14 |
| TPS37043BJOFDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37B010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS38J010155DSKRQ1 | 10-WFDFN |
| TPS37A543222DSKRQ1 | 10-WFDFN |
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