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F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

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FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 चरण IGBT मॉड्यूल 950V 70A फोटोवोल्टिक ऊर्जा

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ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A डुअल IGBT मॉड्यूल

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

पेशेवर और तेज सेवा, माल के लिए स्वीकार्य मूल्य।उत्कृष्ट संचार, उम्मीद के मुताबिक उत्पाद।मैं इस आपूर्तिकर्ता की अत्यधिक अनुशंसा करता हूं।

—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

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F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor
F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

बड़ी छवि :  F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: F3L11MR12W2M1
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: मॉड्यूल
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन
संपर्क करें

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

विवरण
भाग संख्या: F3L11MR12W2M1 शृंखला: ईजीपैक™
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV) वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस: 65 ए
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: 223nC @ 18V परिचालन तापमान: -40 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Modules 1200V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-Level Module Product Description F3L11MR12W2M1 is EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-level module in ANPC topology 1200V, 11mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. Specifications Product Category: MOSFET Modules Technology: SiC Mounting Style: Press Fit Package / Case: Module Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV Id - Continuous Drain Current: 100 A Rds On -

टैग:

ऑटोमोटिव आईजीबीटी मॉड्यूल 400 ए,

एफएस 380 आर 12 ए 6 टी 4 बीबीपीएसए 1 आईजीबीटी पावर मॉड्यूल,

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सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV)

करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 400ए

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7mOhm @ 400A, 15V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5.55V @ 240mA
950V 400A ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल 3 लेवल IGBT मॉड्यूल F3L400R10W3S7B11BPSA1

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भाग संख्या: F3L400R10W3S7B11BPSA1

आईजीबीटी प्रकार: खाई खोदकर मोर्चा दबाना

उत्पाद की स्थिति: सक्रिय

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 950 वी
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT मॉड्यूल 950V 310A ट्रेंच फील्ड स्टॉप

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT मॉड्यूल 950V 310A ट्रेंच फील्ड स्टॉप

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 950 वी

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 310 ए

शक्ति - मैक्स: 20 मेगावाट

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic: 2.25वी @ 15वी, 400ए
HEV सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल 1200V 200A ऑटोमोटिव मॉड्यूल FS05MR12A6MA1BBPSA1

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एफईटी सुविधा: सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): 1200V (1.2kV)

करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200ए

माउंटिंग प्रकार: चेसिस माउंट
ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A हाफ ब्रिज IGBT मॉड्यूल

ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A हाफ ब्रिज IGBT मॉड्यूल

भाग संख्या: FF300R08W2P2B11ABOMA1

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 750 वी

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200 ए

पावर - मैक्स: 20 मेगावाट
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