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H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ

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एम्बेडेड समाधान

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ

H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ
H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ

बड़ी छवि :  H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: H5AN8G6NDJR-XNC
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: एफबीजीए-96
प्रसव के समय: 3-5 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: प्रति दिन 10000 टुकड़े
संपर्क करें

H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी IC चिप 8Gb DDR4 SDRAM FBGA-96 पैकेज में 3200 Mbps डेटा दर के साथ

विवरण
भाग संख्या: H5AN8G6NDJR-XNC पैकेट: एफबीजीए-96
भण्डारण क्षमता: 8 जीबीटी आधार - सामग्री दर: 3200 एमबीपीएस
ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.2V तापमान रेंज आपरेट करना: 0 ° C से +85 ° C से

H5AN8G6NDJR-XNC मेमोरी आईसी चिप 8Gb DDR4 SDRAM ETT मेमोरी FBGA-96 पैकेज में
उत्पाद अवलोकन

H5AN8G6NDJR-XNC एक 8Gb CMOS डबल डेटा रेट IV (DDR4) सिंक्रोनस DRAM है, जो बड़ी मेमोरी घनत्व और उच्च बैंडविड्थ की आवश्यकता वाले मुख्य मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए आदर्श रूप से उपयुक्त है।

मुख्य विशेषताएं
  • VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
  • पूरी तरह से डिफरेंशियल क्लॉक इनपुट (CK, CK) ऑपरेशन
  • डिफरेंशियल डेटा स्ट्रोब (DQS, DQS)
  • ऑन चिप DLL अलाइन DQ, DQS और DQS ट्रांज़िशन CK ट्रांज़िशन के साथ
  • DM डेटा स्ट्रोब के राइजिंग और फॉलिंग दोनों किनारों पर राइट डेटा-इन को मास्क करता है
  • प्रोग्रामेबल CAS लेटेंसी 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 और 20 समर्थित
  • प्रोग्रामेबल एडिटिव लेटेंसी 0, CL-1, और CL-2 समर्थित (केवल x4/x8)
  • प्रोग्रामेबल CAS राइट लेटेंसी (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
  • निबल सीक्वेंशियल और इंटरलीव मोड दोनों के साथ प्रोग्रामेबल बर्स्ट लेंथ 4/8
  • BL स्विच ऑन द फ्लाई
  • 16 बैंक
  • औसत रिफ्रेश साइकिल (Tcase 0°C~95°C)
  • JEDEC मानक 78बॉल FBGA(x4/x8), 78बॉल FBGA(x16)
  • ड्राइवर स्ट्रेंथ MRS द्वारा चयनित
  • डायनामिक ऑन डाई टर्मिनेशन समर्थित
  • RTT_PARK और RTT_NOM जैसे दो टर्मिनेशन स्टेट ODT पिन द्वारा स्विच करने योग्य
  • एसिंक्रोनस रीसेट पिन समर्थित
  • ZQ कैलिब्रेशन समर्थित
  • TDQS (टर्मिनेशन डेटा स्ट्रोब) समर्थित (केवल x8)
  • राइट लेवललाइज़ेशन समर्थित
  • 8 बिट प्री-फेच
  • RoHS कंप्लायंट
  • आंतरिक Vref DQ लेवल जनरेशन उपलब्ध
  • सभी स्पीड ग्रेड पर राइट CRC समर्थित
  • अधिकतम पावर सेविंग मोड समर्थित
  • TCAR (तापमान नियंत्रित ऑटो रिफ्रेश) मोड समर्थित
  • LP ASR (लो पावर ऑटो सेल्फ रिफ्रेश) मोड समर्थित
  • फाइन ग्रैन्युलैरिटी रिफ्रेश समर्थित
  • प्रति DRAM एड्रेसेबिलिटी समर्थित
  • गियरडाउन मोड (1/2 रेट, 1/4 रेट) समर्थित
  • रीड और राइट के लिए प्रोग्रामेबल प्रीएम्बल समर्थित
  • सेल्फ रिफ्रेश एबॉर्ट समर्थित
  • CA पैरिटी (कमांड/एड्रेस पैरिटी) मोड समर्थित
  • समान/भिन्न बैंक ग्रुप एक्सेस के लिए CAS से CAS लेटेंसी के साथ बैंक ग्रुपिंग लागू
  • DBI (डेटा बस इन्वर्जन) समर्थित (x8)
अनुप्रयोग

व्यक्तिगत कंप्यूटिंग डिवाइस: हाई-परफॉरमेंस लैपटॉप और मिनी पीसी (NUCs) के लिए मेमोरी मॉड्यूल (SO-DIMM); ऑल-इन-वन पीसी और एंट्री-लेवल डेस्कटॉप के लिए ऑन-बोर्ड मेमोरी डिज़ाइन

सर्वर और डेटा सेंटर: एंटरप्राइज-क्लास सर्वर के लिए मेमोरी मॉड्यूल असेंबली (RDIMM/UDIMM); डेटा सेंटर स्टोरेज एरे में एज नोड्स; क्लाउड कंप्यूटिंग इंफ्रास्ट्रक्चर के लिए मेमोरी पूल

औद्योगिक और एम्बेडेड सिस्टम: औद्योगिक नियंत्रण और स्वचालन उपकरण के लिए सिस्टम मेमोरी; नेटवर्क संचार उपकरण (राउटर, स्विच) के लिए पैकेट बफरिंग; चिकित्सा उपकरणों और परीक्षण और माप उपकरणों के लिए मुख्य मेमोरी

उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स: हाई-एंड स्मार्ट टीवी, डिजिटल सेट-टॉप बॉक्स और गेम कंसोल जैसे उच्च मेमोरी बैंडविड्थ की आवश्यकता वाले डिवाइस

स्टॉक में संबंधित घटक
भाग संख्या पैकेज
R9A08G045S11GBGPBGA-361
5L35023B-000NLGI8VFQFPN-24
XC7A200T-1FF1156IFCBGA-1156
XC7A15T-3FTG256EFBGA-256
XC7A15T-2CSG325ICSBGA-325
XC7A15T-1CPG236CCSBGA-236
XC7A15T-2FGG484CFCBGA-484
XC7A15T-2FTG256CFBGA-256
XC7A15T-L2CPG236ECSBGA-236
XC6VSX475T-L1FF1156IFCBGA-1156
XC6VSX475T-2FFG1156CFCBGA-1156
XC6VSX475T-1FFG1156IFCBGA-1156
XC6VLX365T-3FFG1156CFCBGA-1156
XC6VLX365T-2FFG1156IFCBGA-1156
XC6VLX365T-1FF1156IFCBGA-1156
XC6VLX365T-L1FF1156IFCBGA-1156
XC6VLX365T-2FFG1156CFCBGA-1156
XC6VLX240T-1FFG1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-2FFG1156CFCBGA-1156
XC6VLX240T-2FF1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-1FF1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-L1FF1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-1FFG1156CFCBGA-1156
XC6VLX240T-1FFG784CFBGA-784
XC6VLX240T-3FFG1156CFCBGA-1156
XC6VLX240T-2FFG1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-3FFG784CFBGA-784
XC6VLX240T-2FF784IFBGA-784
XC6VLX240T-L1FFG1156IFCBGA-1156
XC6VLX240T-L1FFG1156CFCBGA-1156
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्र: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
ए: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्र: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
ए: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्र: क्या आप छोटी मात्रा में ऑर्डर या नमूना समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?
ए: हाँ, हम नमूना ऑर्डर और छोटे ऑर्डर का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके ऑर्डर या प्रोजेक्ट के अनुसार भिन्न होती है।
प्र: मेरे ऑर्डर को कैसे शिप करें? क्या यह सुरक्षित है?
ए: हम शिप करने के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
प्र: लीड टाइम के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स शिप कर सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

टैग:

यूएसबी पीडी 3.0 एमपीक्यू5031,

यूएसबी पीडी नियंत्रक क्यूएफएन20,

यूएसबी पीडी नियंत्रक एमपीक्यू5031

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

हम करने के लिए सीधे अपनी जांच भेजें (0 / 3000)

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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