IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

Name: IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQFH86N06NM5
Availability: InStock

सभी उत्पाद

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप
(21274)

बीटी आईसी
(558)

ऑटोमोटिव आईजीबीटी मॉड्यूल
(2226)

माइक्रोकंट्रोलर एमसीयू
(14929)

गण आईसी
(166)

एआई प्रोसेसर चिप
(1304)

क्षेत्र में प्रोग्राम की जा सकने वाली द्वार श्रंखला
(7008)

ईथरनेट आईसी
(1075)

कनेक्टर्स
(3512)

मेमोरी आईसी चिप
(2616)

सेंसर आईसी
(2515)

आईओटी चिप
(244)

5जी मॉड्यूल
(160)

वाईफाई चिप
(153)

आईफोन आईसी चिप
(54)

वायरलेस संचार मॉड्यूल
(3749)

तापमान नियंत्रक थर्मोस्टेट
(11)

एम्बेडेड समाधान
(9624)

सर्वश्रेष्ठ उत्पादों

CYPD6227-96BZXI एकीकृत सर्किट चिप डबल पोर्ट यूएसबी टाइप-सी नियंत्रक आईसी VFBGA96

MC33984CHFKR2 एकीकृत सर्किट चिप लोड ड्राइवर आईसी पावर वितरण स्विच

MCZ33905DD5EKR2 एकीकृत सर्किट चिप सिस्टम बेस चिप हाई-स्पीड CAN और LIN के साथ

प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

पेशेवर और तेज सेवा, माल के लिए स्वीकार्य मूल्य।उत्कृष्ट संचार, उम्मीद के मुताबिक उत्पाद।मैं इस आपूर्तिकर्ता की अत्यधिक अनुशंसा करता हूं।

—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

उच्च गुणवत्ता और विश्वसनीय प्रदर्शन: "हमारे द्वारा प्राप्त किए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.] उच्च गुणवत्ता के हैं और हमारे उपकरणों में विश्वसनीय प्रदर्शन दिखाया है।"

—— जर्मनी से रिचर्ड

प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण: द्वारा पेश की जाने वाली कीमतें बहुत प्रतिस्पर्धी हैं, जिससे यह हमारी खरीद आवश्यकताओं के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प है।

—— मलेशिया से टिम

द्वारा प्रदान की जाने वाली ग्राहक सेवा उत्कृष्ट है। वे हमेशा उत्तरदायी और सहायक होते हैं, यह सुनिश्चित करते हुए कि हमारी आवश्यकताओं को शीघ्रता से पूरा किया जाए।

—— रूस से विंसेंट

महान कीमतें, तेजी से वितरण, और शीर्ष पायदान ग्राहक सेवा. शेनझेन Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड कभी निराश नहीं करता!

—— निशिकावा जापान से

विश्वसनीय घटकों, तेजी से शिपिंग, और उत्कृष्ट समर्थन. शेन्ज़ेन Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड सभी इलेक्ट्रॉनिक जरूरतों के लिए हमारे जाने के लिए भागीदार है!

—— सैम संयुक्त राज्य अमेरिका से

उच्च गुणवत्ता वाले भागों और एक निर्बाध आदेश प्रक्रिया. अत्यधिक किसी भी इलेक्ट्रॉनिक्स परियोजना के लिए शेनझेन Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड की सिफारिश!

—— जर्मनी की लीना

मैं अब ऑनलाइन चैट कर रहा हूँ

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

बड़ी छवि : IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IQFH86N06NM5

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	टीएसओएन-12
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

विवरण

भाग संख्या:	IQFH86N06NM5	वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज::	60 वी
आईडी - सतत नाली धारा::	394 ए	आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध::	1.47 एमएएच
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज::	- 20 वी, 20 वी	वीजीएस वें - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज::	2.8 वी
प्रमुखता देना:	60V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET , 394ए सतत नाली धारा पावर एमओएसएफईटी , 1.47 mOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप उच्च प्रदर्शन OptiMOSTM 5 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

IQFH86N06NM5 60V सामान्य स्तर की शक्ति MOSFET में एक अभिनव, कॉम्पैक्ट क्लिप-आधारित PQFN 8x6 मिमी 2 पैकेज है जिसे उच्च धारा और बिजली अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह घटक 0 के अति-कम आरडीएस ((ऑन) प्रदान करता है.68 mΩ के साथ संयुक्त असाधारण थर्मल प्रदर्शन, बैटरी संचालित अनुप्रयोगों, बैटरी प्रबंधन प्रणालियों, कम वोल्टेज ड्राइव और एसएमपीएस के लिए बेहतर सिस्टम दक्षता और बिजली घनत्व को सक्षम करता है।

तकनीकी विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	60 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	43A (Ta), 394A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	0.86mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	3.3V @ 176μA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	206 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	12900 पीएफ @ 30 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	3W (Ta), 250W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)

प्रमुख विशेषताएं

अत्याधुनिक OptiMOSTM सिलिकॉन तकनीक
बकाया एफओएम (गुण)
उच्च चिप/पैकेज अनुपात
अनुकूलित लीड-फ्रेम और क्यू-क्लिप डिजाइन
आंतरिक रूप से जुड़े Q1/Q2 MOSFET
कॉम्पैक्ट और सरलीकृत लेआउट डिजाइन
दोतरफा ठंडा करने की क्षमता

प्रदर्शन लाभ

कम से कम प्रवाह हानि
उच्च शक्ति क्षमता
बेहतर उपकरण प्रदर्शन
कम वोल्टेज ओवरशूट
उत्कृष्ट ताप प्रदर्शन
बहु शक्ति स्तरों के लिए पुनः उपयोग बोर्ड
बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन/ईएमआई

लक्षित अनुप्रयोग

हल्के इलेक्ट्रिक वाहन समाधान
ई-बाइक समाधान
मल्टीकोप्टर और ड्रोन
विद्युत औजार
रोबोटिक्स
बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस)

संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या	पैकेज
TSV774IYPT	14-TSSOP
TSL6001ILT	SOT-23-5
TSU111RILT	SOT-23-5
LAN8670C1-E/LMX	32-VFQFN
LAN8672C1-E/LNX	VQFN-36
LAN8671C1-E/U3B	VQFN-24
LAN9360C-I/CQB-101	TFBGA-100
LAN9662-I/9MX	LFBGA-256
KSZ8765CLXIC	LQFP-80
LAN7430-I/Y9X	VFQFN-48
KSZ9563RNXI	QFN-64
LAN9662/9MX	LFBGA-256
KSZ9893RNXC	VQFN-64
KSZ9897RTXC	TQFP-128
KSZ8567RTXI	TQFP-128
ISL81806FRTZ	TQFN-32
ISL81805FRTZ	TQFN-32
ISL81801FRTZ	TQFN-32
ISL62776IRTZ	TQFN-40
RAA228228जीएनपी	QFN-68
RAA2231814GSP	13-एसओआईसी
ISL81601FRZ	QFN-32
R9A06G032NGBG	LFBGA-400
R9A06G032VGBA	LFBGA-324
R7S910007CBA	एफबीजीए-320
R7S910026CBA	एफबीजीए-320
R7S910027CBA	एफबीजीए-320
R7S910025CBA	एफबीजीए-320
R7S910036CBA	एफबीजीए-320
R7S910028CBA	एफबीजीए-320

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।

क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?

हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.

मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

हम एक्सप्रेस वाहक जैसे डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस का उपयोग करते हैं। हम आपके सुझाए गए फोरवेडर का भी उपयोग कर सकते हैं।उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

नेतृत्व समय के बारे में क्या?

हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं. यदि स्टॉक नहीं है, तो हम आपके आदेश की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे.

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

अन्य उत्पादों

LT8609IMSE#WTRPBF एकीकृत सर्किट चिप डीसी डीसी स्विचिंग नियामकों 10-TFSOP

भाग संख्या: LT8609IMSE#WTRPBF

उत्पाद की स्थिति: सक्रिय

कार्य: त्यागपत्र देना

आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन: सकारात्मक

लिथियम आयन BQ79616PAPRQ1 BQ79616 बैटरी मल्टी फंक्शन कंट्रोलर IC 64-HTQFP

समारोह: मल्टी-फंक्शन कंट्रोलर

बैटरी केमिस्ट्री: लिथियम आयन

कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

USB3.2 10Gbps इंटीग्रेटेड चिप्स TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर रेडिवर QFN24

भाग संख्या: TUSB1002ARGER

उत्पाद: यूएसबी रिड्राइवर

डेटा गति: 10 जीबी/सेकंड

रफ़्तार: सुपर स्पीड (एसएस)

क्लोज्डलूप इंटीग्रेटेड सर्किट चिप TAS5805MPWPR क्लास डी एम्पलीफायर TAS5805 HTSSOP28

भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

IQFH86N06NM5 एकीकृत सर्किट चिप पावर MOSFET 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज 394A निरंतर ड्रेन करंट और 1.47 mOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

60V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET

394ए सतत नाली धारा पावर एमओएसएफईटी

1.47 mOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,