ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

Name: ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC034N08NM7
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

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ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

बड़ी छवि : ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	ISC034N08NM7

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	पीजी-टीडीएसओएन-8
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

विवरण

भाग संख्या:	ISC034N08NM7	ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता::	n- चैनल
चैनलों की संख्या::	1 चैनल	वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज::	80 वी
आईडी - सतत नाली धारा::	122 ए	आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध::	3.4 एमओहम
प्रमुखता देना:	80V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET , 122ए सतत नाली वर्तमान एन-चैनल ट्रांजिस्टर , 3.4mOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

ISC034N08NM7 एकीकृत सर्किट चिप OptiMOSTM 7 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 80 V नवीनतम तकनीक है जो लागत दक्षता के साथ ऊर्जा दक्षता और प्रदर्शन के सही संतुलन के लिए एक नया उद्योग मानक स्थापित करती है।

तकनीकी विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	80 वी
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	7V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.4mOhm @ 50A, 10V
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	44 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	3100 पीएफ @ 40 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	3W (Ta), 115W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C

प्रमुख विशेषताएं

उच्च प्रदर्शन सिलिकॉन प्रौद्योगिकी
सामान्य स्तर गेट ड्राइव
175 डिग्री सेल्सियस
औद्योगिक योग्यता

प्रदर्शन लाभ

>32% बेहतर FOMs OptiMOSTM 5 की तुलना में
OptiMOSTM 5 की तुलना में बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन
उपयोग में आसानी
नरम शरीर डायोड
मजबूत विश्वसनीय प्रदर्शन

आवेदन

नवीकरणीय ऊर्जा
फोटोवोल्टिक
मोटर नियंत्रण
डीसी-डीसी पावर रूपांतरण

संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या	पैकेज
NXH240B120H3Q1S1G-R	मॉड्यूल
NXH400N100H4Q2F2SG-R	मॉड्यूल
NCD57255DR2G	16-एसओआईसी
NCV57256DR2G	16-एसओआईसी
HDC3020DEFR	8-वीएफडीएफएन
DRV5055A4QDBZR	SOT-23-3
DRV5032DUDMRR	4-XFDFN
TMP451JQDQFRQ1	8-WFDFN
TMAG5111B2AQDBVRQ1	SOT-23-5
AMC6821SQDBQRQ1	16-SSOP
MSP430FR2676TRHAR	40-VQFN
TPS16416DRCR	10-VFDFN
TPS16414DRCR	10-VFDFN
TPS16417DRCR	10-VFDFN
TPS259813LRPWR	VQFN-10
TPS25972ARPWR	10-VFQFN
TPS25961DRVR	6-WDFN
TPS25970LRPWR	10-VFQFN
TPS259802ONRGER	24-VFQFN
TPS259803ONRGER	24-VFQFN
TPS26622DRCR	10-VFDFN
TPS26625DRCR	10-VFDFN
TPS26400RHFR	24-VFQFN
TPS259474LRPWR	10-VFQFN
TPS259461ARPWR	10-VFQFN
TPS25974ARPWR	10-VFQFN
TPS259474ARPWR	10-VFQFN
TPS16530PWPR	20-HTSSOP
TPS259807ONRGER	24-VQFN
TPS259472LRPWR	10-VFQFN

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।

क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?

हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.

मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

हम जहाज के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं।उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

नेतृत्व समय के बारे में क्या?

हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं. यदि स्टॉक नहीं है, तो हम आपके आदेश की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे.

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

ISC034N08NM7 OptiMOSTM 7 पावर MOSFET एन-चैनल ट्रांजिस्टर 80V ड्रेन स्रोत वोल्टेज 122A निरंतर ड्रेन करंट और 3.4mOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

80V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET

122ए सतत नाली वर्तमान एन-चैनल ट्रांजिस्टर

3.4mOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

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