ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

Name: ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC024N08NM7
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

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ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

बड़ी छवि : ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	ISC024N08NM7

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	पीजी-टीडीएसओएन-8
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

विवरण

भाग संख्या:	ISC024N08NM7	ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता::	n- चैनल
चैनलों की संख्या::	1 चैनल	वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज::	80 वी
आईडी - सतत नाली धारा::	167 ए	आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध::	2.4 ओम
प्रमुखता देना:	2.4mΩ ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध पावर MOSFET , 80V ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट चिप , 167ए सतत नाली धारा OptiMOS™ 7

ISC024N08NM7 एकीकृत सर्किट चिप 2.4mΩ OptiMOSTM 7 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

ISC024N08NM7 OptiMOSTM 7 80 V नवीनतम तकनीक है जो लागत दक्षता के साथ ऊर्जा दक्षता और प्रदर्शन के सही संतुलन के लिए एक नया उद्योग मानक स्थापित करती है।

तकनीकी विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	80 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	24A (Ta), 167A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	7V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.4mOhm @ 50A, 10V
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	64 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4600 पीएफ @ 40 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	3W (Ta), 150W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C

प्रमुख विशेषताएं

उच्च प्रदर्शन सिलिकॉन प्रौद्योगिकी
सामान्य स्तर गेट ड्राइव
175 डिग्री सेल्सियस
औद्योगिक योग्यता

प्रदर्शन लाभ

>32% बेहतर FOMs OptiMOSTM 5 की तुलना में
OptiMOSTM 5 की तुलना में बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन
उपयोग में आसानी
नरम शरीर डायोड
मजबूत विश्वसनीय प्रदर्शन

आवेदन

नवीकरणीय ऊर्जा
फोटोवोल्टिक
मोटर नियंत्रण
डीसी-डीसी पावर रूपांतरण

संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक स्टॉक में

भाग संख्या	पैकेज
DF900R12IP4DPB60	मॉड्यूल
FF900R17ME7WB11	मॉड्यूल
ASP2100MNTXG	QFN-56
NCP1343FNAAABCD1R2G	10-एसओपी
NCP81520RMNTXG	QFN-52
NCP81523MNTXG	52-VFQFN
NCP13992AKDR2G	16-एसओआईसी
NCP13992ANDR2G	16-एसओआईसी
NCP13992CADR2G	16-एसओआईसी
ASP2100RMNTXG	QFN-56
NCP81520MNTXG	48-VFQFN
NCP81283MNTXG	QFN-40
NCV21914DTBR2G	14-TSSOP
NCV20072DMR2G	8-MSOP
NCP45780IMN24RTWG	12-DFN
NIV3071MTW3TWG	16-WQFN
NIS3071MT4TWG	16-WQFN
NIS3071MT3TWG	16-WQFN
NIV3071MTW4TWG	16-WQFN
SNXH75M65L3F2STG	मॉड्यूल
FPF2188UCX	WLCSP-6
NFAQ1060L36T	38-PowerDIP
NFAM3512L7B	39-PowerDIP
NFAM2512L7B	39-PowerDIP
NXH350N100H4Q2F2S1G-R	मॉड्यूल
NXH350N100H4Q2F2P1G-R	मॉड्यूल
NFAM1512L7B	39-PowerDIP
NXH450B100H4Q2F2PG-R	मॉड्यूल
NXH300N95H4Q2F2SG	मॉड्यूल
NXH200B100H4F2SG-R	मॉड्यूल

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ईआरएआई के सदस्य हैं।

प्रश्नः क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?

एकः हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।

प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

एकः हम एक्सप्रेस का उपयोग करने के लिए जहाज, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस. हम भी अपने सुझाए गए फारवर्डर का उपयोग कर सकते हैं.उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?

एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.

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व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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कार्य: त्यागपत्र देना

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कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

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ISC024N08NM7 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप OptiMOSTM 7 पावर MOSFET 2.4mΩ ड्रेन स्रोत प्रतिरोध 80V ब्रेकडाउन वोल्टेज और 167A ड्रेन करंट के साथ

2.4mΩ ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध पावर MOSFET

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167ए सतत नाली धारा OptiMOS™ 7

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,