IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ

Name: IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQE031N08LM6CGSC
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

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IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ

बड़ी छवि : IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IQE031N08LM6CGSC

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	पीजी-डब्ल्यूएचटीएफएन-9
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ

विवरण

भाग संख्या:	IQE031N08LM6CGSC	ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss):	80 वी
न्यूनतम परिचालन तापमान::	- 55 सी	अधिकतम परिचालन तापमान::	+ 175 सी
पीडी - बिजली अपव्यय::	125 डब्ल्यू	फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम::	55 एस
प्रमुखता देना:	80V पावर MOSFET , 125W पावर डिसिपेशन इंटीग्रेटेड सर्किट चिप , एन-चैनल ऑप्टिमओएस™ 6

IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

उत्पाद का अवलोकन

IQE031N08LM6CGSC Infineon का नया सर्वश्रेष्ठ-इन-क्लास OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 80 V लॉजिक लेवल PQFN 3.3x3.3 सोर्स-डाउन सेंटर-गेट (CG) डबल साइड कूलिंग (DSC) पैकेज में है,उद्योग का सबसे कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध RDS ((on) 25 ̊C पर प्रदान करता है, बेहतर थर्मल प्रदर्शन और अनुकूलित समानांतरता।

तकनीकी विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	80 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	18A (Ta), 127A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	2.3V @ 50.8μA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	68 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4600 पीएफ @ 40 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)

प्रमुख विशेषताएं

तर्क स्तर कम Qrr और QOSS की अनुमति देता है
समानांतर के लिए अनुकूलित केंद्र गेट
पिछली पीढ़ी की तुलना में 35% कम आरडीएस
नई, अनुकूलित लेआउट संभावनाएं

प्रदर्शन लाभ

उच्चतम शक्ति घनत्व और प्रदर्शन को सक्षम करता है
उत्कृष्ट ताप प्रदर्शन
स्थान के उपयोग के लिए कुशल लेआउट
सरलीकृत मोसफेट समानांतर
पीसीबी हानि में सुधार

आवेदन

48 वोल्ट मध्यवर्ती बस कनवर्टर (IBC)
दूरसंचार अवसंरचना

स्टॉक में संबंधित घटक

भाग संख्या	पैकेज
ISOUSB211DPR	28-SSOP
TPS25859QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25868QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25846QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25833QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25852QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25831QWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25762CAQRQLRQ1	29-VQFN
TPS25730SRSMR	32-VQFN
TUSB211ARWBR	12-XFQFN
TUSB211AIRWBR	12-X2QFN
TPS25730DREFR	38-WQFN
TPD3S713AQRVCRQ1	20-WQFN
TUSB2E22RZAR	20-VQFN
AM6421BSDGHAALVR	441-FCBGA
AM6442BSEGHAALV	441-FCBGA
AM6251ATCGHAALW	425-FCCSP
DRA821U4TGBALMR	433-FCBGA
DRA821U2CGBALMR	433-FCBGA
AM6254ATGFHIAMCRQ1	441-FCBGA
LMK1D1216RGZR	48-VQFN
LMK1C1108PWR	16-TSSOP
2EDN7534R	टीएसएसओपी-8
2EDF7275K	टीएफएलजीए-13
2EDN8534R	टीएसएसओपी-8
2ED2101S06F	डीएसओ-8
TDA21590	QFN-39
2EDN7533R	टीएसएसओपी-8
1ED3461MC12M	डीएसओ-16
2EDN7434R	टीएसएसओपी-8

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ईआरएआई के सदस्य हैं।

प्रश्नः क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?

एकः हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।

प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

एकः हम एक्सप्रेस का उपयोग करने के लिए जहाज, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस. हम भी अपने सुझाए गए फारवर्डर का उपयोग कर सकते हैं.उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?

एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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कार्य: त्यागपत्र देना

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समारोह: मल्टी-फंक्शन कंट्रोलर

बैटरी केमिस्ट्री: लिथियम आयन

कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TUSB1002ARGER

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IQE031N08LM6CGSC एकीकृत सर्किट चिप एन-चैनल 80V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET 125W पावर डिसिपेशन के साथ

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इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

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