ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज, 344A निरंतर ड्रेन करंट और 900 uOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

Name: ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज, 344A निरंतर ड्रेन करंट और 900 uOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC009N06NM6
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

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ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज, 344A निरंतर ड्रेन करंट और 900 uOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

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उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	ISC009N06NM6

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	पीजी-टीडीएसओएन-8
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 60V ड्रेन-स्रोत वोल्टेज, 344A निरंतर ड्रेन करंट और 900 uOhms ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध के साथ

विवरण

भाग संख्या:	ISC009N06NM6	ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:	n- चैनल
वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज:	60 वी	आईडी - सतत अपवाह धारा:	344 ए
आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध:	900 यूओहम	क्यूजी - गेट चार्ज:	121 एनसी
प्रमुखता देना:	60V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET ट्रांजिस्टर , 344ए सतत ड्रेन करंट पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर , 900 यूओएमएस ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध शक्ति एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

ISC009N06NM6 एकीकृत सर्किट चिप OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

ISC009N06NM6 एकीकृत सर्किट चिप OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

उत्पाद का वर्णन

ISC009N06NM6 एक 60V OptiMOSTM 6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर है। इसके पूर्ववर्ती, OptiMOSTM 5 की तुलना में, Infineon की नवीनतम वेफर तकनीक में उल्लेखनीय प्रदर्शन सुधार है,जिसमें >37% कम आरडीएस ((ऑन) और ~25% बेहतर एफओएमक्यूजी x आरडीएस ((ऑन) शामिल हैं.

विनिर्देश

श्रृंखला	OptiMOSTM 6 पावर-ट्रांजिस्टर
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	60 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	40A (Ta), 344A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	8V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	0.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	3.3V @ 118μA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	121 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	8300 पीएफ @ 30 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	3W (Ta), 221W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार	सतह माउंट
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज	पीजी-डब्ल्यूएसओएन-8-2
पैकेज / मामला	8-PowerWDFN

प्रमुख विशेषताएं

उच्च प्रदर्शन सिलिकॉन प्रौद्योगिकी
सॉफ्ट स्विचिंग अनुकूलित
सामान्य स्तर गेट ड्राइव
175 डिग्री सेल्सियस
औद्योगिक योग्यता
सबसे कम जंक्शन-टॉप थर्मल प्रतिरोध के साथ दो तरफा ठंडा पैकेज
उच्च प्रदर्शन एसएमपीएस के लिए अनुकूलित
कम वोल्टेज ड्राइव और बैटरी संचालित अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित
एन चैनल, सामान्य स्तर
बहुत कम प्रतिरोध आरडीएस (ऑन)
उच्च ताप प्रतिरोध
100% हिमस्खलन परीक्षण

आवेदन

सामान्य प्रयोजन मोटर ड्राइव
दूरसंचार अवसंरचना
बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस)
सर्वर पावर सप्लाई यूनिट (PSU)
डीसी-डीसी पावर रूपांतरण

स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या	पैकेज
LC86GLAMD	मॉड्यूल
ZED-F9P-01B	54-एलजीए
LC29HAAMD	मॉड्यूल
SAM-M8Q-0	20-एसएमडी
ZED-F9T-10B-01	54-एलजीए
ZED-F9T-10B-00	54-एलजीए
ZED-F9T-10B	एलजीए
LC86LICMD	मॉड्यूल
LG77LICMD	मॉड्यूल
LG69TAPMD	मॉड्यूल
L89HA-S90	16-एसएमडी मॉड्यूल
LC79DAMD	मॉड्यूल
EVA-M8E-0-11	43-TFLGA
NEO-F10T-00B	24-एसएमडी मॉड्यूल
LC76GABMD	मॉड्यूल
LC76GPBMD	मॉड्यूल
LC29DCMD	मॉड्यूल
LC29DAEK	मॉड्यूल
LC29DBMD	मॉड्यूल
LC29DBEK	मॉड्यूल
LG69TAAEK	मॉड्यूल
LC79HALEK	मॉड्यूल
LC29DEAMD	मॉड्यूल
LC79HIAEK	मॉड्यूल
LG77LICEK	मॉड्यूल
LC29DCEK	मॉड्यूल
LC29HAAEK	मॉड्यूल
LC29DEAEK	मॉड्यूल
LG69TAPEK	मॉड्यूल
L26ADRA-S89A	24-एसएमडी मॉड्यूल

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ईआरएआई के सदस्य हैं।

प्रश्नः क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?

एकः हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।

प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

एकः हम एक्सप्रेस का उपयोग करने के लिए जहाज, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस. हम भी अपने सुझाए गए फारवर्डर का उपयोग कर सकते हैं.उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?

एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.

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व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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समारोह: मल्टी-फंक्शन कंट्रोलर

बैटरी केमिस्ट्री: लिथियम आयन

कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TUSB1002ARGER

उत्पाद: यूएसबी रिड्राइवर

डेटा गति: 10 जीबी/सेकंड

रफ़्तार: सुपर स्पीड (एसएस)

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

बीटी आईसी

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क्षेत्र में प्रोग्राम की जा सकने वाली द्वार श्रंखला

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