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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | IQE018N06NM6 | आईडी (@25°C) अधिकतम: | 178 ए |
|---|---|---|---|
| क्यूजी (टाइप @10V): | 43 एनसी | आरडीएस (चालू) (@10वी) अधिकतम: | 1.8 मीΩ |
| वीडीएस अधिकतम: | 60 वी | परिचालन तापमान: | -55°C से 175°C |
| प्रमुखता देना: | 60V पावर MOSFET ट्रांजिस्टर,178 एक इंटीग्रेटेड सर्किट चिप,1.8 mΩ OptiMOS™ 6 |
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IQE018N06NM6 एक 60V OptiMOSTM 6 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर PG-TSON-8 पैकेज में है। Infineon की नवीनतम वेफर तकनीक OptiMOSTM 5 के मुकाबले महत्वपूर्ण प्रदर्शन सुधार प्रदान करती है।जिसमें >37% कम आरडीएस ((ऑन) और ~25% बेहतर एफओएमक्यूजी x आरडीएस ((ऑन) शामिल हैंइन सुधारों के परिणामस्वरूप सॉफ्ट-स्विचिंग टोपोलॉजी और निम्न आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उच्च प्रणाली दक्षता और बिजली घनत्व होता है।
| आईडी (@25°C) अधिकतम | 178 ए |
| ध्रुवीयता | एन |
| QG (typ @10V) | ४३ ई.पू. |
| आरडीएस (चालू) (@10V) अधिकतम | 1.8 mΩ |
| वीडीएस अधिकतम | 60 वी |
| VGS (th) | 2.7 वी |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C से 175 °C तक |
| पैकेज | PQFN 3.3x3.3 स्रोत-डाउन |
सामान्य प्रयोजन मोटर ड्राइव
डीसी-डीसी पावर रूपांतरण
| भाग संख्या | पैकेज |
|---|---|
| IXXN100N60B3H1 | SOT-227-4 |
| IXA17IF1200HJ | TO-247-3 |
| IXXH60N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXXK200N65B4 | TO-264-3 |
| IXXR110N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXYH100N65C3 | TO-247-3 |
| IXYN82N120C3 | SOT-227-4 |
| IXXX160N65C4 | TO-247-3 |
| IXGX120N60A3 | TO-247-3 |
| IXXK110N65B4H1 | TO-264-3 |
| IXBA14N300HV | TO-263-3 |
| IXYP20N65C3D1M | TO-220-3 |
| IXXN340N65B4 | SOT-227-4 |
| MMIX1X340N65B4 | 24-पावरएसएमडी |
| IXYT12N250CV1HV | TO-268-3 |
| IXYA30N120A3HV | TO-263-3 |
| IXYA12N250CHV | TO-263-3 |
| IXGA20N250HV-TRL | TO-263-3 |
| IXYN100N65B3D1 | SOT-227-4 |
| IXA4IF1200TC-TRL | TO-268-3 |
| IXXT100N75B4HV | TO-263-3 |
| IXYP30N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120B4 | TO-220-3 |
| IXYH40N120B4 | TO-247-3 |
| IXYP24N100A4 | TO-220-3 |
| IXYH20N65B3 | TO-247-3 |
| IXYT40N120A4HV | TO-268-3 |
| IXYP20N120C4 | TO-220-3 |
| IXYP15N65B3D1 | TO-220-3 |
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फैक्स: 86-0755-83957753