IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर एकीकृत सर्किट चिप

Name: IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर एकीकृत सर्किट चिप
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPAW60R280P7S
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

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IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर एकीकृत सर्किट चिप

बड़ी छवि : IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर एकीकृत सर्किट चिप

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IPAW60R280P7S

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	TO-220-3
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर एकीकृत सर्किट चिप

विवरण

भाग संख्या:	IPAW60R280P7S	आईडी (@25°C) अधिकतम:	12 ए
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss):	600 वी	बिजली अपव्यय (अधिकतम):	24W (टीसी)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	18 एनसी @ 10 वी	परिचालन तापमान:	-40°C से 150°C
प्रमुखता देना:	600V ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर , 12ए सतत ड्रेन करंट इंटीग्रेटेड सर्किट चिप , सुपरजंक्शन टेक्नोलॉजी CoolMOS™ P7

IPAW60R280P7S एकीकृत सर्किट चिप 600V CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर

IPAW60R280P7S एक 600V CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET ट्रांजिस्टर है, जो 600V CoolMOSTM P6 श्रृंखला के उत्तराधिकारी का प्रतिनिधित्व करता है।यह उन्नत घटक उच्च दक्षता आवश्यकताओं को डिजाइन प्रक्रिया उपयोग में आसानी के साथ संतुलित करता है, अपनी श्रेणी में सर्वश्रेष्ठ आर के साथ_परx A और अंतर्निहित रूप से कम गेट चार्ज (Q_जी) को CoolMOSTM 7 वीं पीढ़ी के प्लेटफॉर्म से बनाया गया है।

तकनीकी विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
श्रृंखला	CoolMOSTM P7
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत पर निकास वोल्टेज (V)_{डीएसएस})	600 वी
निरंतर जल निकासी धारा (I)_d) @ 25°C	12A (T)_c)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम R)_डीएसआगे, मिन आर_डीएसचालू)	10V
आर_डीएसपर (अधिकतम) @ I_d, V_जीएस	280mΩ @ 3.8A, 10V
वी_gs(th)(अधिकतम)_d	4V @ 190μA
गेट चार्ज (Q)_घ) (अधिकतम) @ V_जीएस	18 एनसी @ 10 वी
वी_जीएस(अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (C)_{आईएसएस}) (अधिकतम) @ V_डीएस	761 पीएफ @ 400 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	24W (T)_c)
ऑपरेटिंग तापमान	-40°C ~ 150°C (टी_J)
माउंटिंग प्रकार	छेद से
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज	PG-TO220-FP
पैकेज / मामला	TO-220-3 पूर्ण पैक

प्रमुख विशेषताएं

600V P7 उत्कृष्ट FOM R को सक्षम करता है_{डी.एस.}x E_ओस्और आर_{डी.एस.}x Q_जी
ईएसडी कठोरता ≥ 2kV (एचबीएम वर्ग 2)
एकीकृत गेट प्रतिरोधक R_जी
कड़ाकेदार बॉडी डायोड
छेद और सतह माउंट पैकेज में व्यापक पोर्टफोलियो
दोनों मानक ग्रेड और औद्योगिक ग्रेड भागों उपलब्ध

प्रदर्शन लाभ

उत्कृष्ट एफओएम आर_{डी.एस.}x Q_जी/R_{डी.एस.}x E_ओस्उच्च दक्षता को सक्षम करें
डिजाइन और कार्यान्वयन में उपयोग में आसानी में सुधार
ईएसडी सुरक्षा विनिर्माण वातावरण में विफलताओं को रोकती है
एकीकृत आर_जीMOSFET दोलन संवेदनशीलता को कम करता है
पीएफसी और एलएलसी सहित हार्ड और अनुनाद स्विचिंग टोपोलॉजी दोनों के लिए उपयुक्त
एलएलसी टोपोलॉजी में बॉडी डायोड के हार्ड कम्यूटेशन के दौरान उत्कृष्ट कठोरता
विभिन्न अंत उपयोगों और आउटपुट शक्तियों में बहुमुखी अनुप्रयोग
उपभोक्ता और औद्योगिक दोनों अनुप्रयोगों के लिए उपलब्ध भाग

स्टॉक में संबंधित घटक

भाग संख्या	पैकेज
1ST040EH1F35I2LG	1152-बीबीजीए
1SG110HN3F43I3VG	1760-बीबीजीए
1SG110HN3F43E2VG	1760-बीबीजीए
1SG110HN3F43E2VGS1	1760-बीबीजीए
1SD110PJ3F43E3VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN3F43I2VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN2F43E2VG	1760-बीबीजीए
5AGTFD7K3F40I3G	1517-बीबीजीए
1SG085HN3F43E2LG	1760-बीबीजीए
1SG166HN3F43E3VG	1760-बीबीजीए
1SG165HN3F43E3VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN3F43E3XG	1760-बीबीजीए
5AGZME7K3F40I4G	1517-बीबीजीए
5AGZME7K2F40C3G	1517-बीबीजीए
5AGZME5K2F40I3LG	1517-बीबीजीए
1SG110HN3F43E1VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN3F43I1VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN1F43E2VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN2F43E1VG	1760-बीबीजीए
1SG110HN3F43I2VG	1760-बीबीजीए
1SG110HN2F43E2VG	1760-बीबीजीए
1SD110PJ3F43I3VG	1760-बीबीजीए
1SG085HN2F43I2VG	1760-बीबीजीए
5AGZME7H2F35I3LG	1152-बीबीजीए
1SG110HN3F43E2LG	1760-बीबीजीए
1SG085HN3F43I2LG	1760-बीबीजीए
1SG085HN2F43E2LG	1760-बीबीजीए
1ST085EN3F43E3VG	1760-बीबीजीए
1ST085EN3F43E3VGAS	1760-बीबीजीए
1SG166HN3F43I3VG	एफबीजीए-1760

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं. नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है.

आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।

क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?

हाँ, हम नमूना आदेशों और छोटे आदेशों का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना आवश्यकताओं के अनुसार भिन्न होती है।

मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

हम डीएचएल, फेडएक्स, यूपीएस, टीएनटी, और ईएमएस सहित एक्सप्रेस वाहक का उपयोग करते हैं। हम भी अपने सुझाए गए फर्वार्डर का उपयोग कर सकते हैं। उत्पादों को सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए सुरक्षित रूप से पैक कर रहे हैं,और हम आपके आदेश के लिए किसी भी उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

नेतृत्व समय के बारे में क्या?

हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। स्टॉक में नहीं आइटम के लिए, हम आपके आदेश मात्रा के आधार पर लीड समय की पुष्टि करेंगे।

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TUSB1002ARGER

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डेटा गति: 10 जीबी/सेकंड

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

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12ए सतत ड्रेन करंट इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

सुपरजंक्शन टेक्नोलॉजी CoolMOS™ P7

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,