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CYEL15B102N-ZS60XM मेमोरी आईसी चिप 2 एमबीट एफ-रैम गैर-अस्थिर मेमोरी 2V से 3.6V के साथ पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज में

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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CYEL15B102N-ZS60XM मेमोरी आईसी चिप 2 एमबीट एफ-रैम गैर-अस्थिर मेमोरी 2V से 3.6V के साथ पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज में

CYEL15B102N-ZS60XM मेमोरी आईसी चिप 2 एमबीट एफ-रैम गैर-अस्थिर मेमोरी 2V से 3.6V के साथ पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज में
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उत्पाद विवरण:
Place of Origin: CN
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: CYEL15B102N-ZS60XM
भुगतान & नौवहन नियमों:
Minimum Order Quantity: 10
मूल्य: Contact for Sample
Packaging Details: PG-TSOP-44
Delivery Time: 3-5 work days
Payment Terms: T/T
Supply Ability: 10000 Pieces per Day
संपर्क करें

CYEL15B102N-ZS60XM मेमोरी आईसी चिप 2 एमबीट एफ-रैम गैर-अस्थिर मेमोरी 2V से 3.6V के साथ पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज में

विवरण
Part Number: CYEL15B102N-ZS60XM Package: PG-TSOP-44
Density: 2 MBit Operating Temperature: -55 °C to 125 °C
Operating Voltage: 2 V to 3.6 V Peak Reflow Temp: 260 °C
प्रमुखता देना:

2 एमबिट मेमोरी आईसी चिप

,

2V से 3.6V एफ-रैम मेमोरी

,

पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज गैर-वाष्पशील मेमोरी

CYEL15B102N-ZS60XM मेमोरी आईसी चिप
पीजी-टीएसओपी-44 पैकेज में 2 वी से 3.6 वी 2 एमबीट सीरियल एफ-रैम मेमोरी
उत्पाद का अवलोकन
CYEL15B102N-ZS60XM एक 128K * 16 गैर-अस्थिर मेमोरी है जो एक मानक SRAM के समान पढ़ती और लिखती है। यह फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (F-RAM) गैर-अस्थिर है,बिजली बंद होने के बाद 121 वर्ष से अधिक समय तक डेटा को सुरक्षित रखना. यह बैटरी समर्थित एसआरएएम (बीबीएसआरएएम) के साथ जुड़े विश्वसनीयता चिंताओं, कार्यात्मक नुकसान और सिस्टम डिजाइन जटिलताओं को समाप्त करता है।एफ-रैम तकनीक अन्य प्रकार की मेमोरी की तुलना में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है.
विनिर्देश
  • घनत्वः 2 एमबीट
  • परिवार: F-RAM
  • इंटरफेस: समानांतर
  • ऑपरेटिंग तापमानः -55 °C से 125 °C
  • ऑपरेटिंग वोल्टेजः 2V से 3.6V
  • संगठन (X x Y): 128Kx16
  • पैकेजः पीजी-टीएसओपी-44
  • पीक रिफ्लो तापमानः 260 °C
प्रमुख विशेषताएं
  • 128K x 16 समानांतर इंटरफ़ेस के साथ 2 एमबी घनत्व
  • 60ns तक पहुँच का समय
  • इन्फिनियन तत्काल गैर-विलायक लेखन प्रौद्योगिकी
  • 10 ट्रिलियन पढ़ने/लिखने के चक्र का धीरज
  • +85°C पर 120 वर्ष तक डेटा का भंडारण
  • बहुत कम प्रोग्रामिंग वोल्टेज (2V)
  • 2.0 V-3.6 V ऑपरेटिंग वोल्टेज रेंज
  • कम कार्य करंट (अधिकतम 10 एमए)
  • -55°C से +125°C सैन्य तापमान ग्रेड
  • 44-पिन टीएसओपी पैकेज
अनुपालन और लाभ
  • AEC-Q006 के अनुरूप
  • आरओएचएस अनुरूप
  • 50 Krad (Si) TID विकिरण प्रदर्शन
  • एकल लोट दिनांक कोड (SLDC)
  • 100% विद्युत परीक्षण कवरेज
  • अनुपालन प्रमाणपत्र (सीओसी)
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अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।
क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?
हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.
मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?
हम जहाज के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं।उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.
नेतृत्व समय के बारे में क्या?
हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं. यदि स्टॉक नहीं है, तो हम आपके आदेश की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे.

टैग:

यूएसबी पीडी 3.0 एमपीक्यू5031,

यूएसबी पीडी नियंत्रक क्यूएफएन20,

यूएसबी पीडी नियंत्रक एमपीक्यू5031

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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