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MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप, VFBGA-63 पैकेज में एसिंक्रोनस I/O के साथ

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप, VFBGA-63 पैकेज में एसिंक्रोनस I/O के साथ

MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप, VFBGA-63 पैकेज में एसिंक्रोनस I/O के साथ
MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप, VFBGA-63 पैकेज में एसिंक्रोनस I/O के साथ

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: MT29F1G08ABAEAH4:ई
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: वीएफबीजीए-63
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन
संपर्क करें

MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप, VFBGA-63 पैकेज में एसिंक्रोनस I/O के साथ

विवरण
भाग संख्या: MT29F1G08ABAEAH4:ई मेमोरी का आकार:: 1 जीबीटी
संगठन:: 128 एम x 8 डेटा बस चौड़ाई:: 8 बिट
सक्रिय पढ़ें वर्तमान - अधिकतम:: 35 एमए समय प्रकार:: असिंक्रोनस
प्रमुखता देना:

1 गीगाबिट मेमोरी आईसी चिप

,

VFBGA-63 पैकेज NAND फ्लैश मेमोरी

,

अतुल्यकालिक I/O समानांतर NAND फ़्लैश

MT29F1G08ABAEAH4:E मेमोरी आईसी चिप
वीएफबीजीए-63 पैकेज में 1जीबी समानांतर एनएंड फ्लैश मेमोरी
उत्पाद का अवलोकन
MT29F1G08ABAEAH4:E एक 1Gbit समानांतर NAND फ्लैश मेमोरी डिवाइस है जो VFBGA-63 में पैक किया गया है। यह उच्च प्रदर्शन वाली मेमोरी में कुशल I/O संचालन के लिए अनुकूलित एक असिंक्रोनस डेटा इंटरफ़ेस है,आदेशों को स्थानांतरित करने के लिए एक उच्च मल्टीप्लेक्स्ड 8-बिट बस (I/Ox) का उपयोग करना, पते की जानकारी और डेटा।
तकनीकी विनिर्देश
विनिर्देश विवरण
मेमोरी प्रारूप फ्लैश
प्रौद्योगिकी फ्लैश - एनएंड
मेमोरी का आकार 1Gbit
स्मृति संगठन 128M x 8
मेमोरी इंटरफ़ेस समानांतर
वोल्टेज आपूर्ति 2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान 0°C ~ 70°C (TA)
प्रमुख विशेषताएं
  • ओपन एनएंड फ्लैश इंटरफेस (ओएनएफआई) 1.0- अनुरूप
  • एकल स्तरीय सेल (एसएलसी) तकनीक
  • उन्नत स्मृति संगठन:
    • पृष्ठ आकार x8: 2112 बाइट्स (2048 + 64 बाइट्स)
    • पृष्ठ आकार x16: 1056 शब्द (1024 + 32 शब्द)
    • ब्लॉक का आकारः 64 पृष्ठ (128K + 4K बाइट्स)
    • विमान का आकारः 2 विमान x 512 ब्लॉक प्रति विमान
    • डिवाइस का आकारः 1Gb: 1024 ब्लॉक
  • उच्च प्रदर्शन असिंक्रोनस I/O संचालन
  • तेजी से पढ़ने, प्रोग्राम और मिटाने के समय के साथ अनुकूलित सरणी प्रदर्शन
  • ONFI NAND फ्लैश प्रोटोकॉल का समर्थन करने वाला व्यापक कमांड सेट
  • कैश मोड और ओटीपी कार्यक्षमता सहित उन्नत परिचालन विशेषताएं
  • परिचालन स्थिति की निगरानी के लिए हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर विधियाँ
  • अंतर्निहित लेखन सुरक्षा और डेटा स्थानांतरण क्षमताएं
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अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं. नया मूल आयात हमारा प्राथमिक व्यावसायिक फोकस है.
आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।
क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?
हाँ, हम नमूना आदेश और छोटी मात्रा का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश आवश्यकताओं या परियोजना के दायरे के अनुसार भिन्न होती है।
मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?
हम एक्सप्रेस वाहक का उपयोग करते हैं जिनमें डीएचएल, फेडएक्स, यूपीएस, टीएनटी, और ईएमएस शामिल हैं। हम आपके पसंदीदा फर्वार्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पादों को सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए सावधानीपूर्वक पैक किया जाता है,और हम आपके आदेश के लिए किसी भी क्षति के लिए जिम्मेदारी लेते हैं.
नेतृत्व समय के बारे में क्या?
हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं। स्टॉक में नहीं आइटम के लिए, हम आपके आदेश मात्रा के आधार पर लीड समय की पुष्टि करेंगे।

टैग:

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सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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