IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

Name: IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IXFP20N85X
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

पेशेवर और तेज सेवा, माल के लिए स्वीकार्य मूल्य।उत्कृष्ट संचार, उम्मीद के मुताबिक उत्पाद।मैं इस आपूर्तिकर्ता की अत्यधिक अनुशंसा करता हूं।

—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

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IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

बड़ी छवि : IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IXFP20N85X

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	TO-220-3
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

विवरण

भाग संख्या:	IXFP20N85X	वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज:	850 वी
आईडी - सतत अपवाह धारा:	20 ए	आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध:	330 एमओएमएस
क्यूजी - गेट चार्ज:	63 एनसी	पीडी - बिजली अपव्यय:	540 डब्ल्यू
प्रमुखता देना:	850V ड्रेन-सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET , 20A सतत नाली वर्तमान MOSFET ट्रांजिस्टर , 540W पावर डिसिपेशन एन-चैनल MOSFET

IXFP20N85X एकीकृत सर्किट चिप 850V X-क्लास HiPerFETTM एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

IXFP20N85X एक 850V X-Class HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode पावर MOSFET ट्रांजिस्टर है जिसे उच्च प्रदर्शन वाले बिजली अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।

विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
श्रृंखला	HiPerFETTM, अल्ट्रा एक्स
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	850 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	20 ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	5.5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	63 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1660 पीएफ @ 25 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	540W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C से 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार	छेद से
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज	TO-220-3
पैकेज / मामला	TO-220-3

प्रमुख विशेषताएं

अंतर्राष्ट्रीय मानक पैकेज
उच्च वोल्टेज पैकेज
कम आरडीएस ((ऑन) और क्यूजी
हिमस्खलन रेटेड
कम पैकेज इंडक्टेंस

लाभ

उच्च शक्ति घनत्व
घुड़सवार करने में आसान
अंतरिक्ष की बचत

आवेदन

स्विच-मोड और रेज़ोनेंट-मोड बिजली आपूर्ति
डीसी-डीसी कन्वर्टर्स
पीएफसी सर्किट
एसी और डीसी मोटर ड्राइव
रोबोटिक्स और सर्वो नियंत्रण

स्टॉक में संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या	पैकेज
IKW25N120H3XK	TO-247-3
IKZ75N65EH5	TO-247-4
IKFW90N65ES5	TO-247-3
FD200R12KE3P	मॉड्यूल
IKFW40N65DH5	TO-247-3
FF1700XTR17IE5D	मॉड्यूल
FF4MR12W2M1HPB11	मॉड्यूल
AIKBE50N65RF5	TO-263-8
FS50R12W2T7P	मॉड्यूल
FS3L35R07W2H5C40	मॉड्यूल
FS50R12W2T7PB11	मॉड्यूल
FS3L35R07W2H5C56	मॉड्यूल
FS28MR12W1M1HB70	मॉड्यूल
F475R07W2H3B11	मॉड्यूल
DDB6U180N22R	मॉड्यूल
F3L200R12N2H3B48	मॉड्यूल
1EDI60I12AH	डीएसओ-8
1ED020I12F2	डीएसओ-16
IGI60L5050A1M	TFLGA-27
ITS6035SEPK	TSDSO-14
BTT62004ईएसए	TSDSO-24
ITS4075QEPD	TSDSO-14
BTS500151TAD	TO-263-7
BTS500101TAD	TO-263-7
TLE75080ESH	TSDSO-24
BTS621L1E3128A	TO-263-7
BTS70122EPG	पीजी-टीएसडीएसओ-14
BTS70402EPG	पीजी-टीएसडीएसओ-14
BTS700121ESP	पीजी-टीएसडीएसओ-24
BTS700201ESP	पीजी-टीएसडीएसओ-24

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।

क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?

हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.

मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

हम जहाज के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं।उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

नेतृत्व समय के बारे में क्या?

हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं. यदि स्टॉक नहीं है, तो हम आपके आदेश मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे.

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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कार्य: त्यागपत्र देना

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समारोह: मल्टी-फंक्शन कंट्रोलर

बैटरी केमिस्ट्री: लिथियम आयन

कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TUSB1002ARGER

उत्पाद: यूएसबी रिड्राइवर

डेटा गति: 10 जीबी/सेकंड

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भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IXFP20N85X 20A निरंतर ड्रेन करंट और 540W पावर डिसिपेशन के साथ 850V X-Class HiPerFET™ N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

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20A सतत नाली वर्तमान MOSFET ट्रांजिस्टर

540W पावर डिसिपेशन एन-चैनल MOSFET

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,