IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

Name: IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: आईआरएफ100पी219
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

ग्राहक समीक्षा

बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

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IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

बड़ी छवि : IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	आईआरएफ100पी219

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	TO-247-3
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

विवरण

भाग संख्या:	आईआरएफ100पी219	शृंखला:	स्ट्रांगआईआरएफईटी™
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 वी	करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:	203ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.8W (टा), 341W (टीसी)	परिचालन तापमान:	-55°C से 175°C
प्रमुखता देना:	100V ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET ट्रांजिस्टर , 203A निरंतर निकासी वर्तमान एकीकृत सर्किट चिप , 175°C परिचालन तापमान StrongIRFETTM MOSFET

IRF100P219 एकीकृत सर्किट चिप 100V StrongIRFETTM एकल एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

IRF100P219 एक TO-247 पैकेज में 100V StrongIRFETTM सिंगल एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर है, जिसे उच्च-प्रदर्शन बिजली अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।

उत्पाद विनिर्देश

पैरामीटर	मूल्य
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	100 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	203A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	3.8V @ 278μA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	210 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	12020 पीएफ @ 50 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	3.8W (Ta), 341W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार	छेद से
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज	पीजी-टीओ247-3
पैकेज / मामला	TO-247-3

प्रमुख विशेषताएं

बहुत कम प्रतिरोध Rds ((on)
उत्कृष्ट गेट चार्ज x आरडीएस (ऑन) (एफओएम)
अनुकूलित Qrr
175°C परिचालन तापमान
JEDEC मानक के अनुसार उत्पाद सत्यापन
वितरण भागीदारों से व्यापक उपलब्धता के लिए अनुकूलित

प्रदर्शन लाभ

बेहतर गेट, हिमस्खलन और गतिशील dv/dt कठोरता
पूरी तरह से वर्णित क्षमता और हिमस्खलन एसओए
उन्नत बॉडी डायोड dv/dt और di/dt क्षमता
सीसा मुक्त; RoHS अनुरूप; हेलोजन मुक्त

आवेदन

बैटरी ऊर्जा भंडारण (BESS)
डीआईएन रेल बिजली आपूर्ति समाधान
दूरसंचार अवसंरचना
1-चरण स्ट्रिंग इन्वर्टर समाधान
निर्बाध विद्युत आपूर्ति (UPS)

संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक स्टॉक में

भाग संख्या	पैकेज
MAX22515ATG	24-WFQFN
MAX14906ATM	48-WFQFN
MAX22513AWJ	32-WFBGA
MAX14819ATM	48-WFQFN
HMC1122LP4METR	24-VFQFN
HMC985ALP4KE	24-VFQFN
MAX41470GTC	12-WQFN
AD6674BCPZ-500	64-WFQFN
AD9864BCPZRL	48-VFQFN
AD9364BBCZREEL	144-LFBGA
AD5592RWBCPZ	16-WFQFN
AD5592RBCBZ	16-यूएफबीजीए
AD7747ARUZ	16-TSSOP
AD9958BCPZ	56-VFQFN
AD9833WBRMZ	10-टीएफएसओपी
AD9913BCPZ	32-VFQFN
ADE7933ARIZ	20-एसओआईसी
AD5592RBCBZ-1	16-यूएफबीजीए
AD7147WPACPZ-1RL	24-WFQFN
AD7616-PBSTZ	80-LQFP
ADM2761EBRWZ	16-एसओआईसी
ADM2861EBRNZ	28-एसओआईसी
MAX13431EETB	एमएसओपी-10
MAX13431EEUB	एमएसओपी-10
MAX14840EATA	8-टीडीएफएन
ADM3065EARZ	8-एसओआईसी
ADM3064EBRZ	14-एसओआईसी
ADM2867EBRNZ	28-एसओआईसी
ADM3064EARZ	14-एसओआईसी
ADM3061EBRZ	8-एसओआईसी

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।

क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?

हाँ, हम नमूना आदेशों और छोटे आदेशों का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना आवश्यकताओं के अनुसार भिन्न होती है।

मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

हम एक्सप्रेस वाहक जैसे डीएचएल, फेडएक्स, यूपीएस, टीएनटी, और ईएमएस का उपयोग करते हैं। हम आपके द्वारा सुझाए गए फर्वार्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पादों को सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए सावधानीपूर्वक पैक किया जाता है,और हम आपके आदेश के लिए किसी भी क्षति के लिए जिम्मेदारी लेते हैं.

नेतृत्व समय के बारे में क्या?

हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं। स्टॉक में नहीं आइटम के लिए, हम आपके आदेश मात्रा के आधार पर लीड समय की पुष्टि करेंगे।

टैग:

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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समारोह: मल्टी-फंक्शन कंट्रोलर

बैटरी केमिस्ट्री: लिथियम आयन

कोशिकाओं की संख्या: 1

दोष संरक्षण: ज्यादा तापमान

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भाग संख्या: TUSB1002ARGER

उत्पाद: यूएसबी रिड्राइवर

डेटा गति: 10 जीबी/सेकंड

रफ़्तार: सुपर स्पीड (एसएस)

क्लोज्डलूप इंटीग्रेटेड सर्किट चिप TAS5805MPWPR क्लास डी एम्पलीफायर TAS5805 HTSSOP28

भाग संख्या: TAS5805MPWPR

आपूर्ति वोल्टेज - मिन: 3 वि

आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: 3.6 वी

ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

IRF100P219 100V StrongIRFETTM पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 203A ड्रेन करंट और 175°C ऑपरेटिंग तापमान के साथ

100V ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

203A निरंतर निकासी वर्तमान एकीकृत सर्किट चिप

175°C परिचालन तापमान StrongIRFETTM MOSFET

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 24-PQFN,

TUSB1002ARGER डुअल चैनल लीनियर,