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IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

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IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade
IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

बड़ी छवि :  IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: IS46LQ32256A-062BLA1
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: टीएफबीजीए-200
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन
संपर्क करें

IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

विवरण
भाग संख्या: IS46LQ32256A-062BLA1 मेमोरी प्रारूप: घूंट
Max. मैक्स। Clock Frequency घड़ी की आवृत्ति: 1.6GHz (3.2Gbps) मेमोरी का आकार: 8 जीबीटी
स्मृति संगठन: 256एम x 32 तकनीकी: एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4
प्रमुखता देना:

8Gbit LPDDR4 SDRAM

,

1.6GHz Memory IC Chip

,

256M x 32 TFBGA200

IS46LQ32256A-062BLA1 Memory IC Chip 8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM Memory IC TFBGA200
Product Description
The IS46LQ32256A-062BLA1 is an 8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM organized as 2 channels with each channel containing 8 banks of 16-bit memory. This device utilizes a double data rate architecture for high-speed operation, featuring a 16N prefetch design that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins.
Specifications
Memory Type Volatile
Memory Format DRAM
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Memory Size 8Gbit
Memory Organization 256M x 32
Memory Interface LVSTL
Clock Frequency 1.6 GHz
Write Cycle Time - Word, Page 18ns
Access Time 3.5 ns
Voltage - Supply 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature -40°C ~ 95°C (TC)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q100
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 200-TFBGA
Supplier Device Package 200-TFBGA (10x14.5)
Key Features
  • Configuration: 256Mb x16 x 2 channels with 8 internal banks per channel
  • Low-voltage Core and I/O Power Supplies:
    • VDD1 = 1.70-1.95V
    • VDD2 = 1.06-1.17V
    • VDDQ = 1.06-1.17V (LPDDR4)
    • VDDQ = 0.57-0.65V (LPDDR4X)
  • LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) I/O Interface
  • Internal VREF and VREF Training
  • Dynamic ODT with VSSQ Termination for DQ and VSS Termination for CA
  • Maximum Clock Frequency: 1.6GHz (3.2Gbps)
  • 16n Pre-fetch DDR architecture
  • Single data rate (multiple cycles) command/address bus
  • Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS/DQS#)
  • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
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Frequently Asked Questions
Are your products original?
Yes, all products are original, new original import is our purpose.
Which Certificates do you have?
We are ISO 9001:2015 Certified Company and member of ERAI.
Can you support small quantity order or sample? Is the sample free?
Yes, we support sample order and small order. Sample cost is different according to your order or project.
How to ship my order? Is it safe?
We use express to ship, such as DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. We can also use your suggested forwarder. Products will be in good packing and ensure the safety and we are responsible to product damage to your order.
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We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

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सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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