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GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8

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एम्बेडेड समाधान

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

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GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8

GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8
GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8

बड़ी छवि :  GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: GD25Q256DYIGR
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: WSON-8
प्रसव के समय: 3-5 काम के दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: प्रति दिन 10000 टुकड़े
संपर्क करें

GD25Q256DYIGR मेमोरी आईसी चिप 256Mbit 104MHz SPI NOR फ्लैश मेमोरी WSON-8

विवरण
भाग संख्या: GD25Q256DYIGR मेमोरी का आकार: 256 एमबीटी
स्मृति संगठन: 32एम x 8 मैमोरी इंटरफ़ेस: एसपीआई - क्वाड आई/ओ
घड़ी आवृत्ति: 104 मेगाहर्ट्ज चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: 50μs, 2.4ms
प्रमुखता देना:

256 एमबीटी एसपीआई या फ्लैश मेमोरी

,

WSON-8 मेमोरी आईसी चिप

,

104 मेगाहर्ट्ज़ या फ्लैश मेमोरी

GD25Q256DYIGR मेमोरी IC चिप 256Mbit 104MHz SPI नोर फ्लैश मेमोरी WSON-8
उत्पाद वर्णन

GD25Q256DYIGR SPI और न ही फ्लैश मेमोरी विभिन्न अनुप्रयोगों की विविध डिजाइन आवश्यकताओं के लिए उच्च-प्रदर्शन और सुरक्षा सुविधाओं को वितरित करती है।

विशेष विवरण
स्मृति प्रारूप चमक
तकनीकी फ्लैश - और न ही
मेमोरी का आकार 256Mbit
स्मृति संगठन 32 मीटर x 8
मैमोरी इंटरफ़ेस एसपीआई - क्वाड आई/ओ
घड़ी आवृत्ति 104 मेगाहर्ट्ज
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ 50s, 2.4ms
वोल्टेज - आपूर्ति 2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान -40 ° C ~ 85 ° C (TA)
विशेषताएँ
  • 1.8V, 2.5V, 3.0V और वाइड वोल्टेज रेंज में उपलब्ध है
  • एकल, दोहरे और क्वाड I/O SPI मोड में संचालित होता है
  • इनपुट/आउटपुट (I/O)
  • 1.65 से 3.6V SPI और न ही फ्लैश (वाइड वोल्टेज रेंज)
  • दोहरी I/O डेटा 160mbit/s तक स्थानांतरण
  • क्वाड I/O डेटा ट्रांसफर 320mbit/s तक
  • 3.0V SPI और न ही फ्लैश
  • दोहरी I/O डेटा 240mbit/s तक स्थानांतरण
  • क्वाड I/O डेटा ट्रांसफर 480mbit/s तक
  • 2.5V SPI और न ही फ्लैश
  • दोहरी I/O डेटा 208mbit/s तक स्थानांतरण
  • क्वाड I/O डेटा ट्रांसफर 416mbit/s तक
  • 1.8V SPI और न ही फ्लैश
  • दोहरी I/O डेटा 266mbit/s तक स्थानांतरण
  • क्वाड I/O डेटा ट्रांसफर 532Mbit/s तक
  • लचीली मेमोरी आर्किटेक्चर (सेक्टर का आकार: 4K बाइट्स, ब्लॉक आकार: 32K/64K बाइट्स)
  • 20-वर्षीय डेटा प्रतिधारण और 100,000 कार्यक्रम/मिटाने वाले चक्रों के साथ उच्च विश्वसनीयता
  • -40 ° C से +85 ° C ऑपरेटिंग तापमान
  • फास्ट कोड निष्पादन, एक साधारण इंटरफ़ेस और कम पिन काउंट्स
  • एकल बिजली आपूर्ति वोल्टेज
  • 1.65 से 3.6V SPI नोर फ्लैश (वाइड वोल्टेज रेंज): 1.65V से 3.6V
  • 1.8V SPI नोर फ्लैश: 1.65V से 2.0V
  • 2.5V SPI नोर फ्लैश: 2.3V से 3.6V
  • 3.0V SPI नोर फ्लैश: 2.7V से 3.6V
  • उच्च गति वाली घड़ी आवृत्ति (30pf लोड के साथ)
  • 1.65 से 3.6V SPI नोर फ्लैश (वाइड वोल्टेज रेंज): मैक्स। एक तेजी से पढ़ने के लिए 80MHz
  • 1.8V SPI और न ही फ्लैश: एक तेजी से पढ़ने के लिए अधिकतम 133MHz
  • 2.5V SPI और न ही फ्लैश: मैक्स। एक तेजी से पढ़ने के लिए 104MHz
  • 3.0V SPI और न ही फ्लैश: अधिकतम। एक तेजी से पढ़ने के लिए 120MHz
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
भाग संख्या पैकेट
LAV-AT-X70-2LFG676I 676-FCBGA
LAV-AT-X70-1LFG676I 676-FCBGA
LAV-AT-G70-3LFG1156I 1156-FCBGA
LAV-AT-G70-2LFG1156I 1156-FCBGA
LAV-AT-E70-1LFG1156I 1156-FCBGA
LAV-AT-E70-2LFG1156I 1156-FCBGA
LAV-AT-E70-3LFG1156I 1156-FCBGA
LAV-AT-X30-3LFG676C 676-FCBGA
IGLT65R055D2 पीजी-एचडीएसओपी -16
IGOT65R055D2 पीजी-डीएसओ -20
TLE75004-EPD पीजी-टीएसडीएसओ -14
TLE75602-ESH पीजी-टीएसडीएसओ -24
TLE75620-est पीजी-टीएसडीएसओ -24
BTS71033-6ESA 24-स्टसप
BTS71033-6ESP 24-स्टसप
BTS71040-4ESA 24-स्टसप
BTS71040-4ese 24-स्टसप
BTS71040-4ESP 24-स्टसप
BTS71220-4ese 24-स्टसप
BTS71220-4ESP 24-स्टसप
TPS536C9TRSLR VQFN-48
TPS53685RSBR WQFN-40
TPS536C5RSLR VQFN-48
TPS53689RSBR WQFN-40
TPS53676RSLR VQFN-48
TPS53688RSBR QFN-40
LM5170PHPR TQFP-48
MCP9601-E/MX 20-VQFN
Isl68229iraz 68-वीएफक्यूएफएन
RC19004AGNL 28-vfqfpn
उपवास
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
A: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
A: हम ISO 9001: 2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप कम मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुक्त है?
A: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। आपके आदेश या परियोजना के अनुसार नमूना लागत अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे जहाज करें? क्या यह सुरक्षित है?
A: हम एक्सप्रेस का उपयोग जहाज के लिए करते हैं, जैसे कि DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
प्रश्न: लीड समय के बारे में क्या?
A: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को जहाज कर सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे।

टैग:

यूएसबी पीडी 3.0 एमपीक्यू5031,

यूएसबी पीडी नियंत्रक क्यूएफएन20,

यूएसबी पीडी नियंत्रक एमपीक्यू5031

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
S29GL032N90TFI030 मेमोरी आईसी चिप 32Mbit समानांतर NOR फ्लैश मेमोरी आईसी TSOP-48

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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
THGBMJG6C1LBAB7 मेमोरी आईसी चिप 3.3V 64G-बिट ऑटोमोटिव एनएंड फ्लैश सीरियल ई-एमएमसी मेमोरी

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के बारे में

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

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88E1111-B2-RCJ1C000 ईथरनेट आईसी अलास्का अल्ट्रा गीगाबिट ईथरनेट PHY ट्रांससीवर

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