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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | AON7934 | तकनीकी: | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
|---|---|---|---|
| विन्यास: | 2 एन-चैनल (दोहरी) | एफईटी सुविधा: | तर्क स्तर गेट |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 30 वी | करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: | 13 ए, 15 ए |
| प्रमुखता देना: | 30V दोहरी एन-चैनल MOSFET,असममित MOSFET ट्रांजिस्टर,AON7934 एकीकृत सर्किट चिप |
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AON7934 30V डुअल एसिमेट्रिक एन-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर है।
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (मेटल ऑक्साइड) |
|---|---|
| विन्यास | 2 एन-चैनल (डुअल) |
| FET फ़ीचर | लॉजिक लेवल गेट |
| ड्रेन से सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 30V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 13A, 15A |
| Rds ऑन (अधिकतम) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs(th) (अधिकतम) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 485pF @ 15V |
| पावर - अधिकतम | 2.5W |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| भाग संख्या | पैकेज |
|---|---|
| LMK61E0-050M00SIAR | QFM-6 |
| TPL5010QDDCRQ1 | SOT-23-6 |
| LMK60E0-156257SIAR | QFM-6 |
| LMK61E2-125M00SIAR | QFM-6 |
| F28P659DK8PTPQ1 | HLQFP-176 |
| F28P659DK8PZPQ1 | HTQFP-100 |
| F28P659DK8ZEJQ1 | NFBGA-256 |
| F28P659DK8ZEJRQ1 | NFBGA-256 |
| ADC12DL500ACF | FCBGA-256 |
| ADC12DL2500ACF | FCBGA-256 |
| ADC12DL1500ACF | FCBGA-256 |
| ADS1288IRHBR | VQFN-32 |
| AFE78101RRUR | UQFN-24 |
| AFE781H1RRUR | UQFN-24 |
| AFE78201RRUR | UQFN-24 |
| AFE782H1RRUR | UQFN-24 |
| ADS9227RHAT | VQFN-40 |
| ADC3910D125IRSMR | VQFN-32 |
| REF54250CDR | 8-SOIC |
| TDP2004IRNQR | 40-WQFN |
| DAC81401PWR | 20-TSSOP |
| ADS9817RSHR | 56-VQFN |
| DAC39RFS12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF10EFACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RFS10EFACK | 256-FCBGA |
| DRV8242HQRHLRQ1 | 20-VQFN |
| TM4C123BH6NMRIR | NFBGA-157 |
| TM4C123GH6NMRIR | NFBGA-157 |
| F2800152QRHBRQ1 | VQFN-32 |
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दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753
