IMT65R057M1H सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET ट्रांजिस्टर 650V 57 mΩ उच्च शक्ति घनत्व के लिए टोल पैकेज में

IMT65R057M1H CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ TOLL पैकेज में Infineon SiC तकनीक की ताकत का लाभ उठाता है ताकि उच्च घनत्व वाले डिज़ाइन और उच्च स्विचिंग आवृत्ति संचालन को सक्षम किया जा सके। TOLL का छोटा फॉर्म फैक्टर और कम परजीवी बोर्ड स्पेस के कुशल और प्रभावी उपयोग की अनुमति देता है, साथ ही MOSFET को उच्च आवृत्तियों पर चलाने के लिए, उच्च शक्ति घनत्व तक पहुंचने के लिए।

CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ TOLL पैकेज में CoolMOS™ और CoolGaN™ के लिए भी TOLL की उपलब्धता से पूरित है, जिससे यह विभिन्न प्रणालियों के लिए एक आकर्षक वन-स्टॉप शॉप विकल्प बन जाता है। D²PAK की तुलना में थर्मल प्रतिबाधा में कमी, अभिनव .XT इंटरकनेक्ट के साथ मिलकर, 57 mΩ उत्पाद को उच्च दक्षता लक्ष्यों के साथ उच्च से मध्यम शक्ति प्रणालियों के लिए उपयुक्त बनाती है।

यह उच्च से मध्यम शक्ति प्रणालियों में उभरते हुए टोटेम पोल पीएफसी टोपोलॉजी के लिए आदर्श रूप से उपयुक्त है। यह उच्च से मध्यम शक्ति प्रणालियों के डीसी-डीसी और एसी-डीसी चरणों में उच्च दक्षता और घनत्व को भी सक्षम बनाता है। यह उच्च शक्ति प्रणालियों में उच्च दक्षता लक्ष्यों को संबोधित करने के लिए इंटरलीव्ड टोपोलॉजी में भी सफलतापूर्वक उपयोग किया जाता है।