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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | AT45DB081E-SHN-T | मेमोरी प्रकार: | गैर वाष्पशील |
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| मेमोरी का आकार: | 8 एमबीटी | स्मृति संगठन: | 264 बाइट्स x 4096 पृष्ठ |
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | एसपीआई | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7 वी ~ 3.6 वी |
AT45DB081E-SHN-T मेमोरी IC चिप गैर-विलायक मेमोरी 8Mbit SPI सीरियल NOR फ्लैश मेमोरी
AT45DB081E-SHN-T का उत्पाद विवरण
AT45DB081E-SHN-T DataFlash एक 8Mbit SPI सीरियल NOR फ्लैश मेमोरी है जिसमें एक उन्नत डुअल SRAM बफर आर्किटेक्चर है जो इसे डेटा लॉगिंग के लिए सबसे कुशल मेमोरी बनाता है।
AT45DB081E-SHN-T में उन्नत सुविधाओं का एक सूट भी शामिल है जो सिस्टम पावर को बचाता है, प्रोसेसर ओवरहेड को कम करता है, सॉफ्टवेयर विकास को सरल बनाता है,और व्यापक डेटा सुरक्षा और अखंडता विकल्प प्रदान करते हैं.
AT45DB081E-SHN-T का विनिर्देश
| भाग संख्याः | AT45DB081E-SHN-T |
| एसएमडी/एसएमटी | |
| एसओआईसी-वाइड-8 | |
| 8 एमबीट | |
| 1.7 वी | |
| 3.6 वी | |
| 15 एमए | |
| एसपीआई | |
| 85 मेगाहर्ट्ज | |
| 1 एम x 8 | |
| 8 बिट | |
| समकालिक | |
| - 40 °C | |
| + 85 °C | |
| उत्पाद का प्रकार: | न तो फ्लैश |
AT45DB081E-SHN-T की विशेषताएं
एकल 1.7 वी - 3.6 वी आपूर्ति
सीरियल पेरिफेरल इंटरफेस (एसपीआई) संगत
- एसपीआई मोड 0 और 3 का समर्थन करता है
- रैपिडएसTM ऑपरेशन का समर्थन करता है
पूरे सरणी के माध्यम से निरंतर पढ़ने की क्षमता
- 85 मेगाहर्ट्ज़ तक
- 15 मेगाहर्ट्ज तक की कम शक्ति वाली रीड विकल्प
- घड़ी से आउटपुट समय (टीवी) अधिकतम 6 एनएस
उपयोगकर्ता द्वारा विन्यस्त पृष्ठ आकार
- 256 बाइट प्रति पृष्ठ
- 264 बाइट प्रति पृष्ठ (डिफ़ॉल्ट)
- पेज आकार 256 बाइट के लिए कारखाने पूर्व विन्यस्त किया जा सकता है
दो पूरी तरह से स्वतंत्र एसआरएएम डेटा बफर (256/264 बाइट)
- मुख्य मेमोरी सरणी को फिर से प्रोग्राम करते समय डेटा प्राप्त करने की अनुमति देता है
लचीली प्रोग्रामिंग विकल्प
- बाइट/पेज प्रोग्राम (1 से 256/264 बाइट्स) सीधे मुख्य मेमोरी में
- बफर लिखें
- मुख्य मेमोरी पेज प्रोग्राम के लिए बफर
लचीला मिटाने के विकल्प
- पृष्ठ मिटाना (256/264 बाइट्स)
- ब्लॉक मिटाना (2 kB)
- सेक्टर मिटाना (64 kB)
- चिप मिटाना (8 एमबीटी)
कार्यक्रम और मिटाएँ निलंबित/पुनः आरंभ करें
कम शक्ति अपव्यय
- 400 एनए अल्ट्रा-डीप पावर-डाउन करंट (सामान्य)
- 4.5 μA डीप पावर-डाउन करंट (सामान्य)
- 25 μA स्टैंडबाय करंट (सामान्य)
- 11 एमएए एक्टिव रीड करंट (आमतौर पर 20 मेगाहर्ट्ज पर)
स्थायित्वः प्रति पृष्ठ कम से कम 100,000 कार्यक्रम/शोधन चक्र
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
| भाग संख्या | पैकेज |
| LPC55S26JBD100K | HLQFP-100 |
| LPC55S16JBD100E | HLQFP-100 |
| LPC55S04JHI48QL | HVQFN-48 |
| LPC1767FBD100K | LQFP100 |
| LPC5516JEV98E | 98-वीएफबीजीए |
| LPC5504JBD64E | 64-HTQFP |
| LPC844M201JBD64E | 64-LQFP |
| LPC54005JET100E | 100-TFBGA |
| LPC1787FBD208 | 208-LQFP |
| LPC1518JBD100E | LQFP100 |
| LPC4330FET100 | 100-TFBGA |
| LPC54016JBD100E | LQFP100 |
| FS32K142MNT0VLLT | LQFP100 |
| LPC1778FBD208K | LQFP208 |
| MIC5205YM5-TR | SOT-23-5 |
| NV6133A | QFN |
| TMS5701115CPGEQQ1 | LQFP144 |
| MT28EW01GABA1HJS-0SIT | TSOP-56 |
| MT28EW01GABA1HPC-0SIT | एलबीजीए-64 |
| MT25QL01GBBB8ESF-0AAT | एसओपी-16 |
| MT25QU128ABA8E12-0SIT | टी-पीबीजीए-24 |
| MT25QU256ABA8ESF-0SIT | एसओपी-16 |
| MT28EW512ABA1HPC-0SIT | एलबीजीए-64 |
| MT25QU01GBBB8ESF-0AAT | एसओपी16 |
| MT25QU128ABA1ESE-0SIT | एसओपी-8 |
| MT25TL01GBBB8ESF-0AAT | एसओपी-16 |
| MT525QU512ABB8ESF-0SIT | एसओपी-16 |
| MT25QL01GBBB8E12-0AUT | टी-पीबीजीए-24 |
| MT28EW01GABA1LJS-0SIT | TSOP-56 |
| MT25QL128ABA8E12-0AAT | टी-पीबीजीए-24 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?
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प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?
एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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दूरभाष: 86-13410018555
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