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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | मेमोरी का आकार: | 16 जीबीटी |
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| स्मृति संगठन: | 512एम x 32 | घड़ी की आवृत्ति: | 2.133 गीगाहर्ट्ज़ |
| प्रमुखता देना: | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D मेमोरी आईसी चिप,16Gbit मेमोरी आईसी चिप,LPDDR4 मेमोरी आईसी चिप |
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मेमोरी आईसी चिप MT53D512M32D2DS-046 AAT:D 16Gbit SDRAM मोबाइल LPDDR4 मेमोरी आईसी
उत्पाद का विवरणएमटी53डी512एम32डी2डीएस-046 एएटीः डी
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D LPDDR4 मेमोरी को बैटरी संचालित अनुप्रयोगों में बिजली की खपत के मुद्दों को संबोधित करने के लिए अनुकूलित किया गया है। ये मेमोरी डिवाइस DDR4 की तुलना में 33% तेज पीक बैंडविड्थ प्रदान करते हैं।
विनिर्देशएमटी53डी512एम32डी2डीएस-046 एएटीः डी
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घड़ी की आवृत्ति |
2.133 गीगाहर्ट्ज |
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वोल्टेज - आपूर्ति |
1.1V |
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परिचालन तापमान |
-40°C ~ 105°C (TC) |
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ग्रेड |
मोटर वाहन |
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योग्यता |
AEC-Q100 |
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माउंटिंग प्रकार |
सतह माउंट |
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
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भाग संख्या |
पैकेज |
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IRFP4110PBF |
TO-247 |
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BTS3160D |
TO252-5 |
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एमक्यू-5 |
डीआईपी-6 |
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SI9933CDY-T1-GE3 |
एसओपी8 |
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TD62783APG |
डीआईपी18 |
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FSEZ1317MY |
एसओपी-7 |
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ST72F325K6T6 |
LQFP32 |
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1N4448HWT-7 |
SOD-523 |
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FSD200 |
डीआईपी7 |
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CY7C63001C-SXC |
एसओपी-20 |
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HMC485MS8GETR |
एमएसओपी8 |
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ADUC7022BCPZ62 |
LFCSP-40 |
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AD605ARZ |
एसओपी16 |
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5M1270ZT144C4N |
TQFP144 |
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SI7872DP-T1-E3 |
QFN8 |
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CAP1214-1-EZK-TR |
VQFN32 |
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IPB60R385CP |
TO-263 |
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TPS92661QPHPRQ1 |
एचटीक्यूएफपी-48 |
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BCR116W |
SOT-323 |
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OV10121-Q48V |
CQFP |
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STK621-015B-E |
HYB-18 |
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SIL9287ACNU |
QFN72 |
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TGC2510-SM |
QFN |
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LMV981TLX |
डीएसबीजीए-6 |
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HI1-506A-5 |
सीडीआईपी28 |
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DTC114EE |
SOT-523 |
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PCM2912AE4PJTR |
TQFP-32 |
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MP6529GR-Z |
QFN28 |
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AR7242-AH1A |
QFP128 |
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MP8762HGLE |
QFN16 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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