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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | MT53E512M32D1ZW-046BWT:बी | आपूर्ति वोल्टेज - मिन: | 1.7 वी |
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| आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: | 1.95 वी | परिचालन तापमान: | -25 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस |
| प्रमुखता देना: | 200-वीएफबीजीए मेमोरी आईसी चिप,MT53E512M32D1ZW-046BWT:B मेमोरी आईसी चिप,LPDDR4 मेमोरी आईसी चिप |
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मेमोरी आईसी चिप MT53E512M32D1ZW-046BWT:B LPDDR4 मेमोरी आईसी 200-VFBGA सतह माउंट
उत्पाद का विवरणMT5E512M32D1ZW-046BWT:B
MT53E512M32D1ZW-046BWT:B 16Gb कम शक्ति वाली DDR4 SDRAM (LPDDR4) एक उच्च गति CMOS गतिशील यादृच्छिक पहुँच मेमोरी है।मेमोरी डिवाइस बैटरी संचालित अनुप्रयोगों में बिजली की खपत की समस्याओं को हल करने के लिए अनुकूलित है. LPDDR4 मेमोरी डिवाइस कुछ अनुप्रयोगों के लिए BOM को बचाने के लिए x16, x32 और x64 कॉन्फ़िगरेशन को अनुकूलित करता है। मेमोरी हैंडहेल्ड उपकरणों के लिए उपयुक्त है,बैटरी संचालित अनुप्रयोग और अति पोर्टेबल उपकरण.
विनिर्देशMT5E512M32D1ZW-046BWT:B
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16 गीगाबिट |
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16 बिट |
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TFBGA-200 |
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512 एम x 32 |
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1.7 वी |
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1.95 वोल्ट |
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- 25 सी |
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+ 85 C |
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
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भाग संख्या |
पैकेज |
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MIC37252WR |
TO-263 |
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NT1विद्युत |
QFP128 |
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JMB321-QGCP0B |
QFN64 |
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ICS726TLFT |
SOT23-6 |
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MLX90254LVA |
एसआईपी-4 |
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EMP202 |
QFP-48 |
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TPA3113D2PWPR |
HTSSOP28 |
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F25L04PA-86PG2D |
एसओपी-8 |
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IRF6631TRPBF |
QFN |
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STV6110AT |
QFN32 |
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PIC16LF876A-I/SS |
एसएसओपी-28 |
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BSC057N03MSG |
टीडीएसओएन-8 |
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AD603ARZ |
एसओपी8 |
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BQ24159YFFR |
डीएसबीजीए-20 |
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M3300 |
QFP128 |
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MCIMX27LVOP4A |
BGA404 |
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LTC1174CS8 |
एसओपी8 |
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SYBD-28-82HP+ |
एसएमडी |
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GA200TS60U |
मॉड्यूल |
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MAX4734EGC+T |
QFN12 |
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BTS780GP |
SOT263-15 |
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LM358ADGKR |
एमएसओपी8 |
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LM25085QMY |
एमएसओपी-8 |
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STF5N52U |
TO-220F |
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ICS954206AGLF |
टीएसएसओपी-26 |
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S5000B |
BGA81 |
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CY7C1041DV33-10ZSXI |
TSOP-44 |
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AXK730447G |
एसएमडी |
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BU4S81G2-TR |
5-SSOP |
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HFBR-1521Z |
ZIP |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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