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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | एमटी 53 ई 256 एम 32 डी 1 के एस 046 एयूटीः एल | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
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| पैकेज: | 200-वीएफबीजीए | भाग की स्थिति: | सक्रिय |
| प्रमुखता देना: | 200-वीएफबीजीए मेमोरी आईसी चिप,MT53E256M32D1KS-046 AUT:L मेमोरी आईसी चिप,8Gbit LPDDR4X मेमोरी आईसी |
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मेमोरी आईसी चिप MT53E256M32D1KS-046 AUT:L 8Gbit LPDDR4X मेमोरी आईसी 200-VFBGA
उत्पाद का विवरणएमटी 53 ई 256 एम 32 डी 1 के एस 046 एयूटीः एल
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L LPDDR4 प्रदर्शन, बिजली की खपत, विलंबता और भौतिक स्थान के बीच सही संतुलन प्राप्त करता है, जिससे यह अत्यधिक ऊर्जा कुशल हो जाता है।ये LPDDR4 मेमोरी डिवाइस हैंडहेल्ड उपकरणों में उपयोग के लिए उपयुक्त हैं, बैटरी संचालित अनुप्रयोगों और अल्ट्रा पोर्टेबल उपकरणों।
विनिर्देशएमटी 53 ई 256 एम 32 डी 1 के एस 046 एयूटीः एल
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उत्पाद श्रेणीः |
DRAM |
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एसडीआरएएम - एलपीडीडीआर4 |
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8 गीगाबिट |
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32 बिट |
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256 एम x 32 |
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
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भाग संख्या |
पैकेज |
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G71-OD16 |
एसएमडी |
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ADG507AKRZ |
एसओपी28 |
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XCV200E-7BG352I |
352BGA |
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SN65HVD255DR |
एसओपी8 |
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EPF10K50RI240-4 |
QFP240 |
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HM538253BJ-7 |
SOJ40 |
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SPD04N80C3 |
TO-252 |
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AM2302N-T1-PF |
SOT23-3 |
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MMG3005NT1 |
PQFN-16 |
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A2F500M3G-FGG256 |
BGA256 |
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AD5676RARUZ |
टीएसएसओपी20 |
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PS8348BQFN66GTR |
QFN-66 |
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SN74LVCZ32240AGKER |
यूबीजीए-96 |
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IRFR4620TRLPBF |
TO-252 |
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LT1937ES5 |
SOT23-5 |
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MT5325OLMJ |
बीजीए |
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MSP430F5310IPTR |
LQFP48 |
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MPC8245LZU266D |
बीजीए |
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TVP5146PFP |
HTQFP80 |
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TC7SH32F |
SOT-353 |
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MGA-24106-TR1G |
UDFN6 |
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ISO722DR |
एसओपी-8 |
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P0422NL |
एसएमडी |
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SM5302AS |
HSO28 |
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STC3100IQT |
QFN8 |
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STM32F071CBT6 |
QFP-48 |
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सीडीसीएलवीडी1204आरजीटीआर |
VQFN16 |
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CD4013BM |
एसओपी14 |
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IRFS4010-7P |
TO-263-7 |
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HIP4086ABT |
एसओपी24 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
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