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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | MT53E512M64D2HJ-046 WT:B | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.06 वी ~ 1.17 वी |
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| परिचालन तापमान: | -25°C ~ 85°C (TC) | पहूंच समय: | 3.5 एनएस |
मेमोरी आईसी चिप MT53E512M64D2HJ-046 WT:B 32Gbit समानांतर 2.133 GHz 3.5 ns मेमोरी आईसी
उत्पाद का विवरणMT5E512M64D2HJ-046 WT:B
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B 32Gb लो-पावर SDRAM (LPDDR4) एक उच्च गति CMOS गतिशील यादृच्छिक पहुँच स्मृति है।मेमोरी डिवाइस बैटरी संचालित अनुप्रयोगों में बिजली की खपत की समस्याओं को हल करने के लिए अनुकूलित है. LPDDR4 मेमोरी डिवाइस कुछ अनुप्रयोगों के लिए BOM को बचाने के लिए x16, x32, और x64 कॉन्फ़िगरेशन को अनुकूलित करता है.
विनिर्देशMT5E512M64D2HJ-046 WT:B
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मेमोरी प्रकार |
अस्थिर |
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मेमोरी प्रारूप |
DRAM |
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प्रौद्योगिकी |
एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स |
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मेमोरी का आकार |
32Gbit |
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मेमोरी इंटरफ़ेस |
समानांतर |
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घड़ी की आवृत्ति |
2.133 गीगाहर्ट्ज |
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
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भाग संख्या |
पैकेज |
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STO33N60M6 |
8-पावरएसएफएन |
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STB45N60DM2AG |
D2PAK |
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STB33N60DM6 |
D2PAK |
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STO67N60M6 |
8-पावरएसएफएन |
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STL33N60DM6 |
8-PowerVDFN |
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STO47N60M6 |
8-पावरएसएफएन |
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SCT060HU75G3AG |
HU3PAK |
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STH60N099DM9-2AG |
H2PAK-2 |
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TSB182IYST |
8-MiniSO |
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TSZ151ICT |
SOT-323-5 |
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TSB624IYPT |
14-TSSOP |
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TSZ151IYCT |
SOT-323-5 |
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TSB514IYPT |
14-TSSOP |
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LM2902BYPT |
14-TSSOP |
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TSL6002IST |
8-MiniSO |
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TSB512IDT |
8-एसओआईसी |
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TSB622IDT |
8-एसओआईसी |
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TSL6202IST |
8-MiniSO |
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LM2902YQ5T |
16-QFN |
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LM2904BYDT |
8-एसओआईसी |
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LM2903BYPT |
8-TSSOP |
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LM2904YQ6T |
8-डीएफएन |
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LM2903WST |
8-MiniSO |
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TSB182IDT |
8-एसओआईसी |
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TSB182IYDT |
8-एसओआईसी |
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TSB624IDT |
14-एसओआईसी |
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TSB624IYDT |
14-एसओआईसी |
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FDA903S-6DT |
32-VFQFPN |
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FDA803S-6DT |
32-VFQFPN |
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LM2904HYPT |
8-TSSOP |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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