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ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

पेशेवर और तेज सेवा, माल के लिए स्वीकार्य मूल्य।उत्कृष्ट संचार, उम्मीद के मुताबिक उत्पाद।मैं इस आपूर्तिकर्ता की अत्यधिक अनुशंसा करता हूं।

—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

उच्च गुणवत्ता और विश्वसनीय प्रदर्शन: "हमारे द्वारा प्राप्त किए गए इलेक्ट्रॉनिक घटक [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.] उच्च गुणवत्ता के हैं और हमारे उपकरणों में विश्वसनीय प्रदर्शन दिखाया है।"

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प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण: द्वारा पेश की जाने वाली कीमतें बहुत प्रतिस्पर्धी हैं, जिससे यह हमारी खरीद आवश्यकताओं के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प है।

—— मलेशिया से टिम

द्वारा प्रदान की जाने वाली ग्राहक सेवा उत्कृष्ट है। वे हमेशा उत्तरदायी और सहायक होते हैं, यह सुनिश्चित करते हुए कि हमारी आवश्यकताओं को शीघ्रता से पूरा किया जाए।

—— रूस से विंसेंट

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—— निशिकावा जापान से

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उच्च गुणवत्ता वाले भागों और एक निर्बाध आदेश प्रक्रिया. अत्यधिक किसी भी इलेक्ट्रॉनिक्स परियोजना के लिए शेनझेन Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड की सिफारिश!

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ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल

ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल
ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल

बड़ी छवि :  ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: FF4MR12W2M1HB70
भुगतान & नौवहन नियमों:
Minimum Order Quantity: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: मानक पैकेज
Delivery Time: 3-5 work days
भुगतान शर्तें: टी/टी
Supply Ability: 10000 Pieces per Day
संपर्क करें

ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल

विवरण
प्रमुखता देना:

मोटर वाहन IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70

,

FF4MR12W2M1HB70

ऑटोमोटिव आईजीबीटी मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V कूलएसआई सी मॉस्फेट हाफ-ब्रिज मॉड्यूल
एमजेडी एडवांटेज
  • इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए 15 साल का अनुभव
  • सुरक्षित ऑर्डरिंग
  • उत्कृष्ट प्रतिक्रिया
  • डिलीवरी की तारीख की गारंटी
  • 100% कम कीमत की गारंटी
  • 108 देशों को निर्यात, ग्राहक संतुष्टि दर: 99.9%
कंपनी प्रोफाइल

शेन्ज़ेन मिंगजिडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड विश्व-प्रसिद्ध ब्रांडों के इलेक्ट्रॉनिक घटकों का एक अधिकृत स्वतंत्र वितरक है। 1996 में शेन्ज़ेन में स्थापित, मिंगजिडा ने हांगकांग, जापान, रूस और ताइवान में क्रमशः शाखाएं स्थापित की हैं।

हमने गुणवत्ता प्रबंधन प्रणालियों के लिए ISO9001:2014 और पर्यावरण प्रबंधन प्रणालियों के लिए ISO14001:2014 के अनुसार किए गए प्रमाणपत्रों को पास किया है। बिक्री, आर एंड डी और प्रबंधन में एक अनुभवी टीम के साथ, हम 500 से अधिक प्रसिद्ध निर्माताओं के उत्पादों के वितरण में विशेषज्ञ हैं।

"ग्राहकों के लिए लाभ को अधिकतम करने" के सिद्धांत का पालन करते हुए, हम उत्पादों की एक पूरी श्रृंखला प्रदान करते हैं और अपनी पेशेवर लॉजिस्टिक्स और ग्राहक सेवा टीमों के साथ उच्च-गुणवत्ता और उत्तरदायी सेवा भी प्रदान करते हैं। मिंगजिडा एक प्रमुख (अधिकृत और अनधिकृत) इलेक्ट्रॉनिक घटक वितरक के रूप में विकसित हुआ है जो घरेलू और विदेशी आईसी बाजारों में अच्छी तरह से जाना जाता है।

गुणवत्ता जांच
ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF4MR12W2M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET हाफ-ब्रिज मॉड्यूल 0
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
भाग संख्या पैकेज
ATSAMD51J19A-MU64-VQFN
ATSAMA5D27C-D1G-CU289-TFBGA
ATSAMC21N17A-ANT100-TQFP
ATSAME54N20A-AUT100-TQFP
ATSAMV70N20B-AABT100-LQFP
ATSAML21J16B-AUT32-TQFP
ATSAML11E14A-AUT32-TQFP
ATSAML21J17B-AUT64-TQFP
ATSAMD21G17D-AF48-TQFP
ATSAML21J18B-ANT64-TQFP
ATSAME53J18A-MU64-QFN
PIC16F18877-E/PT44-TQFP
PIC18F45K40T-I/ML44-VQFN
ATSAMD20E16A-MNT32-VQFN
ATSAMD20G14B-AUT48-TQFP
ATSAML21E15B-MUT32-VQFN
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ATSAMA5D28C-LD2G-CU289-LFBGA
ATSAMA5D28C-LD1G-CU289-LFBGA
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अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्र: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
क: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्र: आपके पास कौन से प्रमाणपत्र हैं?
क: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्र: क्या आप छोटी मात्रा में ऑर्डर या नमूना का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?
क: हाँ, हम नमूना ऑर्डर और छोटे ऑर्डर का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके ऑर्डर या परियोजना के अनुसार भिन्न होती है।
प्र: मेरे ऑर्डर को कैसे शिप करें? क्या यह सुरक्षित है?
क: हम शिप करने के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
प्र: लीड टाइम के बारे में क्या?
क: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को शिप कर सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर की मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

कुल मिलाकर रेटिंग

5.0
इस आपूर्तिकर्ता के लिए 50 समीक्षाओं पर आधारित

रेटिंग स्नैपशॉट

निम्नलिखित सभी रेटिंग का वितरण है
5 सितारे
100%
4 सितारे
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3 सितारे
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2 सितारे
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1 सितारे
0%

सभी समीक्षाएँ

し
しょうた
Japan Oct 23.2025
सहायक (50)
It is a great shopping experience,the sales are very professional and very enthusiasm，fast delivery，good quality ,i will buy them next time!
F
FRANCK
France Sep 10.2025
सहायक (10)
Good product quality, purchasing for the umpteenth time never disappoints, honest and trustworthy seller.recommended!
J
Jose
South Korea May 24.2025
सहायक (28)
Supplier is highly recommended, kind and fast response.
टैग:

ऑटोमोटिव आईजीबीटी मॉड्यूल 400 ए,

एफएस 380 आर 12 ए 6 टी 4 बीबीपीएसए 1 आईजीबीटी पावर मॉड्यूल,

आईजीबीटी पाउडर मॉड्यूल 1200 वी

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV)

करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 400ए

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7mOhm @ 400A, 15V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5.55V @ 240mA
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950V 400A ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल 3 लेवल IGBT मॉड्यूल F3L400R10W3S7B11BPSA1

भाग संख्या: F3L400R10W3S7B11BPSA1

आईजीबीटी प्रकार: खाई खोदकर मोर्चा दबाना

उत्पाद की स्थिति: सक्रिय

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 950 वी
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT मॉड्यूल 950V 310A ट्रेंच फील्ड स्टॉप

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT मॉड्यूल 950V 310A ट्रेंच फील्ड स्टॉप

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 950 वी

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 310 ए

शक्ति - मैक्स: 20 मेगावाट

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic: 2.25वी @ 15वी, 400ए
HEV सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल 1200V 200A ऑटोमोटिव मॉड्यूल FS05MR12A6MA1BBPSA1

HEV सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल 1200V 200A ऑटोमोटिव मॉड्यूल FS05MR12A6MA1BBPSA1

एफईटी सुविधा: सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): 1200V (1.2kV)

करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200ए

माउंटिंग प्रकार: चेसिस माउंट
ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A हाफ ब्रिज IGBT मॉड्यूल

ऑटोमोटिव IGBT मॉड्यूल FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A हाफ ब्रिज IGBT मॉड्यूल

भाग संख्या: FF300R08W2P2B11ABOMA1

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 750 वी

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200 ए

पावर - मैक्स: 20 मेगावाट
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