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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | GTVA262701FA-V2-R2 | बढ़त: | 17 डीबी |
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| वोल्टेज - टेस्ट: | 48 वी | वर्तमान - परीक्षण: | 320 एमए |
| पावर आउटपुट: | 270 डब्ल्यू | वोल्टेज - रेटेड: | 125 वी |
एकीकृत सर्किट चिप GTVA262701FA-V2-R2 270W आरएफ GaN पर SiC HEMT ट्रांजिस्टर
उत्पाद का विवरणGTVA262701FA-V2-R2
GTVA262701FA-V2-R2 बहु-मानक सेलुलर पावर एम्पलीफायर अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए SiC उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर (HEMT) पर 270 वाट का GaN है। इसमें इनपुट मिलान, उच्च दक्षता,और एक थर्मल रूप से बढ़ाया सतह-माउंट पैकेज के साथ कान के बिना flange.
विनिर्देशकाGTVA262701FA-V2-R2
| भाग संख्याः | GTVA262701FA-V2-R2 |
| एचईएमटी | |
| GaN-on-SiC | |
| 2.496 GHz से 2.69 GHz तक | |
| 17 डीबी | |
| एन-चैनल | |
| 125 वी | |
| - 10 वी से 2 वी तक | |
| 12 ए | |
| 270 W | |
| + 225 C | |
| फ्लैंज माउंट | |
| H-87265J-2 | |
| आवेदनः | सेलुलर पावर एम्पलीफायर |
की विशेषताGTVA262701FA-V2-R2
• सीआईसी एचईएमटी प्रौद्योगिकी पर गन
• इनपुट मिलान
• विशिष्ट पल्स सीडब्ल्यू प्रदर्शनः 10 μs पल्स चौड़ाई, 10% कार्य चक्र, 2690 मेगाहर्ट्ज, 48 वी
- P3dB = 270 W पर आउटपुट शक्ति
- दक्षता = 66%
- लाभ = 18.1 डीबी
• मानव शरीर मॉडल वर्ग 1B (एएनएसआई/ईएसडीए/जेडीईसी जेएस-001 के अनुसार)
• 10:1 VSWR @48 V, 60 W (WCDMA) आउटपुट पावर को संभालने में सक्षम
• पीबी मुक्त और रोएचएस अनुरूप
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
| भाग संख्या | पैकेज |
| MAX98360AENL | WLP-9P |
| TAS6421QDKQRQ1 | एचएसएसओपी-56 |
| ISO7763FQDBQRQ1 | एसएसओपी-16 |
| AR0144CSSM20SUKA0-CPBR | ODCSP-69 |
| NCV8402AMNWT1G | डीएफएन-6 |
| TPSM828214SILR | USIP-10 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
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