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MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट

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एम्बेडेड समाधान

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प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

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MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट

MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट
MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V Multiple I/O NOR Flash Memory IC Non-Volatile Surface Mount
MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट

बड़ी छवि :  MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: MT25QL512ABB8E12-0SIT
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: 24-टीबीजीए
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन
संपर्क करें

MT25QL512ABB8E12-0SIT 3V मल्टीपल I/O NOR फ्लैश मेमोरी IC गैर-विलायक सतह माउंट

विवरण
भाग संख्या: MT25QL512ABB8E12-0SIT विस्तारित डिवाइस आईडी: दो अतिरिक्त बाइट डिवाइस फ़ैक्टरी विकल्पों की पहचान करते हैं
हस्ताक्षर: 3-बाइट स्मृति प्रकार: गैर वाष्पशील
माउन्टिंग का प्रकार: सतही माउंट वोल्टेज: 2.7–3.6वी
प्रमुखता देना:

3वी और न ही फ्लैश मेमोरी आईसी

,

मल्टीपल I/O फ़्लैश मेमोरी IC

,

गैर-वाष्पशील मेमोरी आईसी चिप

MT25QL512ABB8E12-0SIT मेमोरी IC चिप 3V मल्टीपल I/O या फ्लैश मेमोरी IC
MT25QL512ABB8E12-0SIT मेमोरी कॉन्फ़िगरेशन एक आंतरिक कॉन्फ़िगरेशन रजिस्टर द्वारा सेट किया जाता है जो उपयोगकर्ताओं के लिए सीधे सुलभ नहीं है।
विनिर्देश
भाग संख्या MT25QL512ABB8E12-0SIT
कार्यक्रम प्रदर्शन 2 एमबी/सेक
पता मोड 3-बाइट
प्रोटोकॉल विस्तारित, ड्यूल और क्वाड आई/ओ
बफर प्रोग्राम 512 शब्द
ब्लॉक मिटाना 0.2s
प्रमुख विशेषताएं
  • मिटाए गए ब्लॉक को सत्यापित करने के लिए BLANK CHECK ऑपरेशन
  • एक प्रोग्राम पैटर्न को सत्यापित करने के लिए CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) ऑपरेशन
  • वीपीपी/डब्ल्यूपी# सुरक्षा
  • ब्लॉक सुरक्षा सेटिंग्स के बावजूद पहले या अंतिम ब्लॉक की सुरक्षा करता है
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
भाग संख्या पैकेज
MK64FX512VLQ12 LQFP-144
MPC8533EVTALF 783PBGA
TLC5916IN पीडीआईपी-16
IDW40G65C5 TO-247
ADS1015IDGSR एमएसओपी-10
SI4705-D60 QFN20
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
हां, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।
क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?
हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.
मेरा ऑर्डर कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?
हम जहाज के लिए एक्सप्रेस का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फॉरवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं।उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.
नेतृत्व समय के बारे में क्या?
हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक पार्ट्स भेज सकते हैं. यदि स्टॉक नहीं है, तो हम आपके आदेश मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड समय की पुष्टि करेंगे.

टैग:

यूएसबी पीडी 3.0 एमपीक्यू5031,

यूएसबी पीडी नियंत्रक क्यूएफएन20,

यूएसबी पीडी नियंत्रक एमपीक्यू5031

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

हम करने के लिए सीधे अपनी जांच भेजें (0 / 3000)

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भाग संख्या: MX60LF8G18AC-XKI

मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी

इंटरफ़ेस प्रकार:: धारावाहिक

संगठन:: 1 जी एक्स 8
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भाग संख्या: CY15B128Q-SXET

श्रृंखला: एफ-रैम ™

प्रौद्योगिकी: FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम)

घड़ी की आवृत्ति: 33 मेगाहर्ट्ज
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भाग संख्या: THGAMRG8T13BAIL

श्रृंखला: ई • एमएमसी™

प्रौद्योगिकी: फ्लैश - नंद

मेमोरी का आकार: 256 जीबीटी
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भाग संख्या: S29GL032N90TFI030

उत्पाद श्रेणी: न ही फ्लैश

मेमोरी का आकार: 32 एमबीटी

सक्रिय रीड करंट - अधिकतम: 50 एमए
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