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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | S27KL0642GABHI033 | इंटरफेस: | हाइपरबस |
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| डीप पावर डाउन (CS# = VCC = 2.0 V, 105°C): | 12 μA | डीप पावर डाउन (CS# = VCC = 3.6 V, 105°C): | 15 μA |
| पहूंच समय: | 35 एनएस | बर्स्ट रीड या राइट (200 मेगाहर्ट्ज पर लीनियर बर्स्ट, 3.0 V): | 30 मा |
| प्रमुखता देना: | S27KL0642GABHI033,S27KL0642GABHI033 IC चिप्स,FBGA24 SRAM IC |
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मेमोरी आईसी चिप S27KL0642GABHI033 छद्म एसआरएएम मेमोरी आईसी 200MHz FBGA24 आईसी चिप
उत्पाद का विवरणS27KL0642GABHI033
S27KL0642GABHI033 e एक हाई स्पीड CMOS, ऑटो-रिफ्रेश DRAM है, जिसमें HYPERBUSTM इंटरफेस है। DRAM सरणी गतिशील कोशिकाओं का उपयोग करती है जिन्हें आवधिक रीफ्रेश की आवश्यकता होती है।
विनिर्देशS27KL0642GABHI033
| भाग संख्या | S27KL0642GABHI033 |
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वोल्टेज - आपूर्ति
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2.7V ~ 3.6V
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परिचालन तापमान
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-40°C ~ 85°C (TA)
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माउंटिंग प्रकार
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सतह माउंट
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पैकेज / मामला
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24-वीबीजीए
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आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज
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24-एफबीजीए (6x8)
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तर्क ब्लॉक आरेखS27KL0642GABHI033
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
| भाग संख्या | पैकेज |
| CAT24C128YI | टीएसएसओपी8 |
| MKL03Z32VFK4 | QFN24 |
| USB3320C | QFN32 |
| TB6633AFNG | एसएसओपी24 |
| MC9S08QA2CFQE | QFN8 |
| XC7A200T-2FFG1156C | BGA1156 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ईआरएआई के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?
एकः हाँ,हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं. नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है.
प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?
एकः हम एक्सप्रेस का उपयोग करने के लिए जहाज,जैसे डीएचएल,फेडेक्स,यूपीएस,टीएनटी,ईएमएस. हम भी अपने सुझाए गए फॉरवर्डर का उपयोग कर सकते हैं.उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.
प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?
एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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दूरभाष: 86-13410018555
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