उत्पाद विवरण:
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भाग संख्या: | IMW120R090M1H | उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
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पैकेज / मामला: | TO-247-3 | ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 1200 वी |
बेंचमार्क गेट दहलीज वोल्टेज: | वीजीएस (वें) = 4.5 वी | स्पंदित शरीर डायोड वर्तमान: | 50ए |
सिलिकॉन कार्बाइड IMW120R090M1H एन-चैनल 1200V MOSFETs ट्रांजिस्टर TO-247-3
उत्पाद का विवरणIMW120R090M1H
IMW120R090M1H CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET है, बहुत कम स्विचिंग नुकसान।
विनिर्देशIMW120R090M1H
भाग संख्या | IMW120R090M1H |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs
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21 एनसी @ 18 वी
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वीजीएस (अधिकतम)
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+23V, -7V
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इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
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707 पीएफ @ 800 वी
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शक्ति विसर्जन (अधिकतम)
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115W (Tc)
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परिचालन तापमान
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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की विशेषताएंIMW120R090M1H
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
भाग संख्या | पैकेज |
MX25U4033EM1I-12G | एसओपी-8 |
MAP55-4001 | QFN-16 |
LT4321IUF | QFN-16 |
RD24P | एसओटी-89 |
AIC2516GR8TR | एसओपी8 |
AIC1554GOTR | एमएसओपी8 |
LT8610EMSE | एमएसओपी16 |
S1206B36-U3T1G | SOT89 |
2SC2412K | SOT-23 |
X2816CPI-20 | डीआईपी24 |
A3S64D40ETP | TSOP66 |
LM4040DIM3X-2.5 | SOT23-3 |
KLM8G2FE3B-B001 | BGA153 |
DG406DJ | डीआईपी28 |
ADV7321KSTZ | LQFP-64 |
ADV7403BSTZ-110 | LQFP100 |
ECE1099X | VQFN-40 |
TPS2220APWPR | टीएसएसओपी-24 |
88E1543A1 | QFP128 |
SRC4190IDBR | एसएसओपी-28 |
PCI8412ZHK | BGA216 |
EMC1402-2 | एमएसओपी-8 |
MPX2010DP | एसआईपी-4 |
ADC08D1500CIYB | TQFP-128 |
XC6VSX315T-1FFG1156I | बीजीए |
MLX90616ESF | टीओ-39 |
ATA2388TF | एसएमडी |
BCM2930BKFBG | बीजीए |
KS8695X | QFP208 |
IW3662-01 | QFN5 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी हैं और ईआरएआई के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना निःशुल्क है?
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प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?
एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753