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1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
बहुत तेजी से भेजा गया, और बहुत मददगार था, नया और मूल, अत्यधिक अनुशंसा करेगा।

—— निशिकावा जापान से

पेशेवर और तेज सेवा, माल के लिए स्वीकार्य मूल्य।उत्कृष्ट संचार, उम्मीद के मुताबिक उत्पाद।मैं इस आपूर्तिकर्ता की अत्यधिक अनुशंसा करता हूं।

—— लुइस संयुक्त राज्य अमेरिका से

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प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण: द्वारा पेश की जाने वाली कीमतें बहुत प्रतिस्पर्धी हैं, जिससे यह हमारी खरीद आवश्यकताओं के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प है।

—— मलेशिया से टिम

द्वारा प्रदान की जाने वाली ग्राहक सेवा उत्कृष्ट है। वे हमेशा उत्तरदायी और सहायक होते हैं, यह सुनिश्चित करते हुए कि हमारी आवश्यकताओं को शीघ्रता से पूरा किया जाए।

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—— निशिकावा जापान से

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—— सैम संयुक्त राज्य अमेरिका से

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—— जर्मनी की लीना

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1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8
1200V SiC Trench MOSFET IMBG120R045M1H N-Channel MOSFET Transistors TO-263-8
1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8 1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

बड़ी छवि :  1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: IMBG120R045M1H
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: TO-263-8
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी / टी, एल / सी, वेस्टर्न यूनियन

1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H N-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

विवरण
भाग संख्या: IMBG120R045M1H शॉर्ट सर्किट समय का सामना: 3 माइक्रो
टर्न-ऑफ गेट वोल्टेज: 0 वी क्यूजी - गेट चार्ज: 46 एनसी
वीजीएस वें - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 5.7 वी बेंचमार्क गेट दहलीज वोल्टेज: वीजीएस (वें) = 4.5 वी

1200V SiC ट्रेंच MOSFET IMBG120R045M1H एन-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-8

 

का उत्पाद विवरणIMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H .XT इंटरकनेक्शन तकनीक के साथ CoolSiC™ 1200V SiC ट्रेंच MOSFET है।

 

की विशिष्टताIMBG120R045M1H

भाग संख्या: IMBG120R045M1H
सिक
एसएमडी / श्रीमती
TO-247-7
1.2 केवी
47 ए
45 ओम
- 7 वी, + 23 वी

 

की विशेषताएं IMBG120R045M1H

  • शॉर्ट सर्किट समय 3 μs का सामना करता है
  • पूरी तरह से नियंत्रित डीवी/डीटी
  • बेंचमार्क गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज, VGS(th) = 4.5V
  • परजीवी चालू होने के खिलाफ मजबूत, 0V टर्न-ऑफ गेट वोल्टेज लागू किया जा सकता है
  • हार्ड कम्यूटेशन के लिए रोबस्ट बॉडी डायोड

 

स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या पैकेट
एमसी44सीसी373सीएईएफआर2 एसओपी16
एचएमसी939LP4E क्यूएफएन
AM79C984AJC PLCC84
RE46C141SW16TF एसओपी16
BSC190N15NS3G टीडीएसओएन-8
यूसी2637डीडब्ल्यूटीआर एसओपी20


सामान्य प्रश्न

प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाणपत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुक्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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