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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | IMBG65R048M1H | पीक ड्रेन करंट (अधिकतम): | 99ए |
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| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 33 एनसी @ 18 वी | इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: | 1118 पीएफ @ 400 वी |
| ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (न्यूनतम): | 650 वी | परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
TO-263-8 IMBG65R048M1H सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs ट्रांजिस्टर 650V SiC ट्रेंच पावर
का उत्पाद विवरणIMBG65R048M1H
IMBG65R048M1H 650V CoolSiC M1 SiC ट्रेंच पावर डिवाइस, सरफेस माउंट है।
की विशिष्टताIMBG65R048M1H
| भाग संख्या | IMBG65R048M1H |
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एफईटी प्रकार
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n- चैनल
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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
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650 वी
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करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C
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45ए (टीसी)
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
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18 वी
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आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
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64mOhm @ 20.1A, 18V
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की विशेषताएं IMBG65R048M1H
स्टॉक में अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक
| भाग संख्या | पैकेट |
| RT8567AGQW | WQFN20 |
| आईआरजी4पीएसएच71यूपीबीएफ | सुपर-247 |
| PIC18F66J11-I/PT | टीक्यूएफपी64 |
| MX29GL256EHT2I-90Q | TSOP56 |
| आईटीजी-3600 | क्यूएफएन16 |
| एएक्सके7एल24223जी | एसएमडी |
सामान्य प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाणपत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुक्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।
व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753
