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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | S26HS512TGABHM003 | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 1.7 मि.से |
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| पहूंच समय: | 5.45 एनएस | मेमोरी प्रकार: | गैर वाष्पशील |
| मेमोरी प्रारूप: | चमक | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
फ्लैश - NOR मेमोरी आईसी S26HS512TGABHM003 200 MHz 24-FBGA एकीकृत सर्किट चिप
S26HS512TGABHM003 का उत्पाद विवरण
S26HS512TGABHM003 refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS™ interface master (host).
S26HS512TGABHM003 का विनिर्देश
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भाग संख्या |
S26HS512TGABHM003 |
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मेमोरी प्रकार |
अस्थिर |
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मेमोरी प्रारूप |
फ्लैश |
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प्रौद्योगिकी |
फ्लैश - न (एसएलसी) |
विशेषताएंS26HS512TGABHM003 से
1.8 V / 3.0 V इंटरफेस समर्थन
एकल-अंत घड़ी - 11 बस संकेत
वैकल्पिक अंतर घड़ी- 12 बस संकेत
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
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भाग संख्या |
पैकेज |
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MX66L2G45GXRI00 |
TFBGA24 |
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STM32L552VET6 |
LQFP-100 |
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STM32L562CEU6 |
UFQFPN-48 |
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STM32L562MEY6P |
WLCSP-81 |
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ADUC7036BCPZ |
QFN48 |
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L9407F |
ZIP |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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