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उत्पाद विवरण:
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| भाग संख्या: | MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | घड़ी की आवृत्ति: | 2.133 गीगाहर्ट्ज़ |
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| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 18एनएस | पहूंच समय: | 3.5 एनएस |
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.06 वी ~ 1.17 वी | परिचालन तापमान: | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 95 डिग्री सेल्सियस (टीसी) |
मेमोरी आईसी MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA सतह माउंट
उत्पाद का विवरणMT5E512M32D1ZW-046 एआईटीःबी
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B एक हाई स्पीड डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी है जिसे आंतरिक रूप से x16 कॉन्फ़िगरेशन के लिए 8-बैंक DRAM और x4 और x8 कॉन्फ़िगरेशन के लिए 16-बैंक DRAM के रूप में कॉन्फ़िगर किया गया है।
विनिर्देशMT5E512M32D1ZW-046 एआईटीःबी
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भाग संख्याः |
MT5E512M32D1ZW-046 एआईटीःबी |
मेमोरी प्रकारः |
अस्थिर |
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मेमोरी प्रारूपः |
DRAM |
प्रौद्योगिकीः |
एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स |
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मेमोरी का आकारः |
16Gbit |
स्मृति संगठन: |
512M X 32 |
विशेषताएंके MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
डीडीआर3 पर 50% तक बैंडविड्थ बढ़ाता है
कम 1.2V वोल्टेज ड्रेन (कोर और I/O) मेमोरी पावर डिमांड को कम करता है
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
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भाग संख्या |
पैकेज |
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C8051F330 |
QFN20 |
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C8051F336 |
QFN20 |
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C8051F390 |
QFN24 |
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C8051F396 |
QFN20 |
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C8051F411 |
QFN32 |
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C8051F850 |
QFN-20 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?
एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
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