उत्पाद विवरण:
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भाग संख्या: | S80KS5122GABHV023 | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 35एनएस |
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पहूंच समय: | 35 एनएस | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7 वी ~ 2 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | परिचालन तापमान: | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीए) |
512Mbit मेमोरी चिप S80KS5122GABHV023 एकीकृत सर्किट चिप 24FBGA मेमोरी आईसी
उत्पाद का विवरणS80KS5122GABHV023
S80KS5122GABHV023 एक हाई-स्पीड CMOS, ऑटो-रिफ्रेश DRAM है, जिसमें HYPERBUSTM इंटरफेस है। DRAM सरणी गतिशील कोशिकाओं का उपयोग करती है जिन्हें आवधिक रीफ्रेश की आवश्यकता होती है।
विनिर्देशS80KS5122GABHV023
भाग संख्या | S80KS5122GABHV023 |
मेमोरी प्रकार
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अस्थिर
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मेमोरी प्रारूप
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PSRAM
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प्रौद्योगिकी
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PSRAM (छद्म SRAM)
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मेमोरी का आकार
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512 एमबीट
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स्मृति संगठन
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64 एम x 8
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मेमोरी इंटरफ़ेस
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हाइपरबस
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घड़ी की आवृत्ति
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200 मेगाहर्ट्ज
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की विशेषताएंएकीकृत सर्किट चिप
अन्य आपूर्ति उत्पाद प्रकार
भाग संख्या | पैकेज |
TLE7237SL | एसएसओपी24 |
TLE7239SL | एसएसओपी24 |
CM32181A3OP | QFN |
TPS54240DRCR | VSON10 |
ADSP-21262SKSTZ200 | QFP144 |
SI3586DV | TSOP-6 |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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