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TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET
TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

बड़ी छवि :  TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: IMW120R030M1H
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: TO247-3
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

विवरण
Part Number: IMW120R030M1H Series: CoolSiC™
FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
प्रमुखता देना:

IMW120R030M1H

,

IMW120R030M1H एन-चैनल ट्रांजिस्टर

,

1200V SiC ट्रेंच MOSFET

TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET

 

IMW120R030M1H का उत्पाद विवरण

TO247-3 पैकेज में IMW120R030M1H CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET अत्याधुनिक ट्रेंच सेमीकंडक्टर प्रक्रिया पर निर्मित है जो विश्वसनीयता के साथ प्रदर्शन को संयोजित करने के लिए अनुकूलित है।IGBTs और MOSFETs जैसे पारंपरिक सिलिकॉन (Si) आधारित स्विच की तुलना में, SiC MOSFET कई प्रकार के लाभ प्रदान करता है।
IMW120R030M1H इनमें शामिल हैं, सबसे कम गेट चार्ज और 1200 V स्विच में डिवाइस कैपेसिटेंस स्तर, आंतरिक कम्यूटेशन प्रूफ बॉडी डायोड का कोई रिवर्स रिकवरी नुकसान नहीं, तापमान स्वतंत्र कम स्विचिंग लॉस, और थ्रेशोल्ड-फ्री ऑन-स्टेट विशेषता।CoolSiC™ MOSFETs पावर फैक्टर करेक्शन (PFC) सर्किट, द्वि-दिशात्मक टोपोलॉजी और DC-DC कन्वर्टर्स या DC-AC इनवर्टर जैसे हार्ड- और रेजोनेंट-स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए आदर्श हैं।

 

IMW120R030M1H की विशिष्टता

भाग संख्या IMW120R030M1H
उत्पाद श्रेणी: MOSFET
आरओएचएस: विवरण
सिक
छेद के माध्यम से
1 चैनल
1.2 केवी
56 ए
40 ओम
- 7 वी, + 23 वी
5.7 वी
63 एनसी
- 55 सी
+ 150 सी

 

IMW120R030M1H की विशेषताएं

  • क्लास स्विचिंग और कंडक्शन लॉस में सर्वश्रेष्ठ
  • बेंचमार्क हाई थ्रेशोल्ड वोल्टेज, Vth> 4 V
  • आसान और सरल गेट ड्राइव के लिए 0V टर्न-ऑफ गेट वोल्टेज
  • वाइड गेट-सोर्स वोल्टेज रेंज
  • मजबूत और कम नुकसान वाले बॉडी डायोड को हार्ड कम्यूटेशन के लिए रेट किया गया
  • तापमान स्वतंत्र टर्न-ऑफ स्विचिंग नुकसान

 

IMW120R030M1H के अनुप्रयोग

  • फास्ट ईवी चार्जिंग
  • फोटोवोल्टिक ऊर्जा प्रणालियों के लिए समाधान
  • निर्बाध विद्युत आपूर्ति (यूपीएस)

 

IMW120R030M1H के आरेख

TO247-3 पैकेज में N-चैनल ट्रांजिस्टर IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC ट्रेंच MOSFET 0

 

सामान्य प्रश्न
> क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ़्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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