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STPSC20H12G-TR डायोड IC सिलिकॉन कार्बाइड Schottky 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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STPSC20H12G-TR डायोड IC सिलिकॉन कार्बाइड Schottky 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2

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STPSC20H12G-TR Diode IC Silicon Carbide Schottky 1200V 20A Surface Mount D2PAK-2
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बड़ी छवि :  STPSC20H12G-TR डायोड IC सिलिकॉन कार्बाइड Schottky 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: STPSC20H12G-TR
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: D2PAK-2
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

STPSC20H12G-TR डायोड IC सिलिकॉन कार्बाइड Schottky 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2

विवरण
भाग संख्या: STPSC20H12G-TR अगर - फॉरवर्ड करंट: 20 ए
Vrrm - दोहरावदार रिवर्स वोल्टेज: 1.2 केवी वीएफ - फॉरवर्ड वोल्टेज: 1.35 वी
आईएफएसएम - फॉरवर्ड सर्ज करंट: 38 ए आईआर - रिवर्स करंट: 10 यूए
प्रमुखता देना:

STPSC20H12G-TR डायोड IC

,

D2PAK-2 डायोड IC

STPSC20H12G-TR डायोड सिलिकॉन कार्बाइड शोट्की 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2

 

STPSC20H12G-TR का उत्पाद विवरण

STPSC20H12G-TR डायोड, TO-220AC, D²PAK और TO-247 LL में उपलब्ध है, एक अल्ट्राहाई परफॉर्मेंस पावर Schottky रेक्टिफायर है।यह एक सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट का उपयोग करके निर्मित होता है।वाइड बैंड-गैप सामग्री 1200 वी रेटिंग के साथ कम वीएफ स्कॉटकी डायोड संरचना के डिजाइन की अनुमति देती है।
विशेष रूप से पीएफसी और द्वितीयक पक्ष अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए उपयुक्त, यह एसटीपीएससी20एच12जी-टीआर डायोड हार्ड स्विचिंग स्थितियों में प्रदर्शन को बढ़ावा देगा।यह सुधारक लक्षित अनुप्रयोग के प्रदर्शन को बढ़ाएगा।इसकी उच्च फॉरवर्ड सर्ज क्षमता क्षणिक चरणों के दौरान अच्छी मजबूती सुनिश्चित करती है।


की विशिष्टताSTPSC20H12G-TR

डायोड प्रकार

सिलिकॉन कार्बाइड शोट्की

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1200 वी

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

20ए

वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर

1.5 वी @ 20 ए

रफ़्तार

कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)

रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर)

0 एनएस

करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr

120 μA @ 1200 वी

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

1650pF @ 0V, 1MHz

माउन्टिंग का प्रकार

माउंट सतह

पैकेज / मामला

TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB

 

STPSC20H12G-TR की विशेषताएं

  • नहीं या नगण्य रिवर्स रिकवरी
  • स्विचिंग व्यवहार तापमान से स्वतंत्र
  • मजबूत उच्च वोल्टेज परिधि
  • -40 डिग्री सेल्सियस से 175 डिग्री सेल्सियस तक संचालन

 

STPSC20H12G-TR की पैकेज रूपरेखा

STPSC20H12G-TR डायोड IC सिलिकॉन कार्बाइड Schottky 1200V 20A सरफेस माउंट D2PAK-2 0

 

सामान्य प्रश्न
> क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ़्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

 

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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