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IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज

IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज
IMBG120R140M1H Integrated Circuit Chip 1200V SiC MOSFET Transistors TO-263-7 Package
IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज

बड़ी छवि :  IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Original Factory
प्रमाणन: Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या: IMBG120R140M1H
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10
मूल्य: Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण: पीजी-TO263-7-12
प्रसव के समय: 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप 1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज

विवरण
भाग संख्या: IMBG120R140M1H एफईटी प्रकार: n- चैनल
तकनीकी: सिलिकन कार्बाइड पैकेट: पीजी-TO263-7-12
माउन्टिंग का प्रकार: माउंट सतह एफईटी सुविधा: मानक
प्रमुखता देना:

IMBG120R140M1H इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

,

SiC MOSFET इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

,

1200V SiC MOSFET ट्रांजिस्टर

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप IMBG120R140M1H 1200 V SiC ट्रेंच MOSFET ट्रांजिस्टर TO-263-7 पैकेज में


की विशिष्टताIMBG120R140M1H

उत्पाद की स्थिति

सक्रिय

एफईटी प्रकार

n- चैनल

तकनीकी

SiCFET (सिलिकॉन कार्बाइड)

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200 वी

करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C

18ए (टीसी)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

189mOhm @ 6A, 18V

वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी

5.7V @ 2.5mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13.4 एनसी @ 18 वी

वीजीएस (अधिकतम)

+18 वी, -15 वी

इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds

491 पीएफ @ 800 वी

एफईटी सुविधा

मानक

बिजली अपव्यय (अधिकतम)

107W (टीसी)

परिचालन तापमान

-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)

 

IMBG120R140M1H की विशेषताएं
बहुत कम स्विचिंग नुकसान
शॉर्ट सर्किट समय 3 μs का सामना करता है
पूरी तरह से नियंत्रित डीवी/डीटी
बेंचमार्क गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज, VGS(th) = 4.5V
परजीवी चालू होने के खिलाफ मजबूत, 0V टर्न-ऑफ गेट वोल्टेज लागू किया जा सकता है
हार्ड कम्यूटेशन के लिए रोबस्ट बॉडी डायोड
श्रेणी में सर्वश्रेष्ठ थर्मल प्रदर्शन के लिए एक्सटी इंटरकनेक्शन तकनीक
पैकेज रेंगना और निकासी दूरी> 6.1 मिमी
अनुकूलित स्विचिंग प्रदर्शन के लिए सेंस पिन

 

IMBG120R140M1H के लाभ
दक्षता में सुधार
उच्च आवृत्ति को सक्षम करना
शक्ति घनत्व में वृद्धि
शीतलन प्रयास में कमी
प्रणाली की जटिलता और लागत में कमी

 

IMBG120R140M1H के संभावित अनुप्रयोग
ड्राइव
इन्फ्रास्ट्रक्चर - चार्जर
ऊर्जा उत्पादन - सोलर स्ट्रिंग इन्वर्टर और सोलर ऑप्टिमाइज़र
औद्योगिक बिजली की आपूर्ति - औद्योगिक यूपीएस

 

सामान्य प्रश्न
> क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ़्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।

सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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