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कंपनी ब्लॉग के बारे में इनफिनियन BSC160N15NS5 OptiMOSTM 5 150V एन-चैनल MOSFET की आपूर्ति करना दूरसंचार बुनियादी ढांचे के लिए

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
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कंपनी ब्लॉग
इनफिनियन BSC160N15NS5 OptiMOSTM 5 150V एन-चैनल MOSFET की आपूर्ति करना दूरसंचार बुनियादी ढांचे के लिए
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इनफिनियन BSC160N15NS5 OptiMOSTM 5 150V एन-चैनल MOSFET की आपूर्ति करना दूरसंचार बुनियादी ढांचे के लिए

मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स इन्फिनियन यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए OptiMOS™ 5 150V एन-चैनल MOSFET की आपूर्ति करता है - दूरसंचार अवसंरचना के लिए एक उच्च-दक्षता पावर स्विचिंग समाधान

 

I. यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए  उत्पाद अवलोकन

दूरसंचार अवसंरचना के उच्च घनत्व और अधिक दक्षता की ओर लगातार विकसित होने की पृष्ठभूमि में, पावर MOSFETs का चयन सीधे पावर सप्लाई सिस्टम की रूपांतरण दक्षता और दीर्घकालिक विश्वसनीयता निर्धारित करता है। इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज का BSC160N15NS5, OptiMOS™ 5 150V पावर MOSFET श्रृंखला का हिस्सा, SuperSO8 (TDSON-8) पैकेज में आता है। 16 mΩ के अल्ट्रा-लो ऑन-रेसिस्टेंस और 56 A की निरंतर ड्रेन करंट क्षमता के साथ, यह दूरसंचार अवसंरचना के भीतर 48 V पावर सप्लाई आर्किटेक्चर में सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन और हाई-फ्रीक्वेंसी स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प है।

 

मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स (शेन्ज़ेन मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड), इलेक्ट्रॉनिक घटकों का एक अधिकृत स्वतंत्र वितरक, जिसके पास लगभग तीस वर्षों का अनुभव है, लंबे समय से इन्फिनियन MOSFET उत्पादों की पूरी श्रृंखला की स्थिर आपूर्ति प्रदान कर रहा है, जिसमें OptiMOS™ 5 पावर MOSFETs जैसे यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए शामिल हैं।

 

II. यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए

के मुख्य तकनीकी विनिर्देश

ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज V_DS: 150 V

निरंतर ड्रेन करंट I_D (T_C=25°C): 56 A

ऑन-रेसिस्टेंस R_DS(on) (अधिकतम): 16 mΩ @ V_GS=10 V

गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज V_GS(th): 3.8 V

कुल पावर डिसिपेशन P_tot (T_C=25°C): 115 W

रिवर्स रिकवरी चार्ज Q_rr: 26 nC

इनपुट कैपेसिटेंस C_iss: 1820 pF

रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस C_rss: 17 pF

ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज: -55°C से +175°C

 

पैकेज: SuperSO8 (TDSON-8, 5×6 mm)


यह डिवाइस एक डुअल-साइडेड कूलिंग पैकेज डिज़ाइन के साथ आता है जिसमें अत्यंत कम जंक्शन-टू-टॉप थर्मल रेजिस्टेंस होता है, साथ ही अत्यंत कम गेट चार्ज × ऑन-रेसिस्टेंस फिगर ऑफ मेरिट (FOM) और अत्यंत कम रिवर्स रिकवरी चार्ज होता है, जिससे यह हाई-फ्रीक्वेंसी स्विचिंग और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन अनुप्रयोगों में स्विचिंग और कंडक्शन लॉस को काफी कम कर सकता है।यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए BSC160N15NS5

के मुख्य अनुप्रयोग

3.1 48V DC-DC कन्वर्टर्स में सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन

 

आधुनिक दूरसंचार अवसंरचना व्यापक रूप से 48V DC पावर वितरण आर्किटेक्चर का उपयोग करती है। 48V इनपुट वाले हाई-फ्रीक्वेंसी DC-DC कन्वर्टर्स में, सेकेंडरी-साइड सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन MOSFET को एक साथ कम ऑन-रेसिस्टेंस और फास्ट बॉडी डायोड रिकवरी विशेषताओं की दोहरी आवश्यकताओं को पूरा करना चाहिए। BSC160N15NS5 का अल्ट्रा-लो ऑन-रेसिस्टेंस 16 mΩ और केवल 26 nC का रिवर्स रिकवरी चार्ज इसे सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन टोपोलॉजी में रेक्टिफिकेशन लॉस को प्रभावी ढंग से कम करने में सक्षम बनाता है, जिससे सिस्टम की समग्र रूपांतरण दक्षता में सुधार होता है।

3.2 दूरसंचार उपकरणों में स्विच-मोड पावर सप्लाई (SMPS)

 

दूरसंचार बेस स्टेशनों, राउटर और ट्रांसमिशन उपकरणों में स्विच-मोड पावर सप्लाई पावर डिवाइस की दक्षता और थर्मल प्रदर्शन पर कड़े आवश्यकताएं लगाती हैं। OptiMOS™ 5 150V श्रृंखला को विशेष रूप से इन्फिनियन द्वारा दूरसंचार अवसंरचना अनुप्रयोगों के लिए अनुशंसित विकल्प के रूप में सूचीबद्ध किया गया है और यह हाई-फ्रीक्वेंसी स्विचिंग परिदृश्यों जैसे संचार उपकरणों के लिए पावर सप्लाई और DC-DC पावर रूपांतरण के लिए उपयुक्त है।

3.3 48V इंटरमीडिएट बस कन्वर्टर्स (IBC)

 

डेटा सेंटर और दूरसंचार उपकरण कक्षों में, 48V इंटरमीडिएट बस कन्वर्टर्स 48V बस से पॉइंट-ऑफ-लोड वोल्टेज में वोल्टेज परिवर्तित करने के लिए जिम्मेदार होते हैं। इसके कम FOM विशेषताओं के कारण, BSC160N15NS5 IBC टोपोलॉजी में उच्च पावर घनत्व और कम तापमान वृद्धि को सक्षम बनाता है।

3.4 लो-वोल्टेज ड्राइव और सौर अनुप्रयोग


दूरसंचार अवसंरचना के अलावा, BSC160N15NS5 लो-वोल्टेज ड्राइव (जैसे इलेक्ट्रिक फोर्कलिफ्ट और इलेक्ट्रिक स्कूटर) के साथ-साथ सौर इनवर्टर के लिए भी उपयुक्त है, जो विभिन्न परिदृश्यों में व्यापक अनुकूलन क्षमता प्रदर्शित करता है।

IV. मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स - इन्फिनियन MOSFETs के आपके विश्वसनीय आपूर्तिकर्ता

4.1 कंपनी की ताकत


1996 में स्थापित और शेन्ज़ेन में मुख्यालय, मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स की हांगकांग, जापान, रूस और ताइवान में शाखाएं हैं, जिनमें एक मिलियन से अधिक इन-स्टॉक मॉडल हैं।

4.2 आपूर्ति आश्वासन

वास्तविक OEM उत्पाद: सभी इन्फिनियन MOSFET उत्पाद आधिकारिक OEM चैनलों के माध्यम से प्राप्त किए जाते हैं, जिससे नकली उत्पादों का जोखिम समाप्त हो जाता है।यदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए BSC160N15NS5

श्रृंखला तेजी से प्रेषण के लिए उपलब्ध है।

तेजी से प्रतिक्रिया: तत्काल ऑर्डर 4 घंटे के भीतर प्रेषित किए जाते हैं; मानक ऑर्डर 48 घंटे के भीतर वितरित किए जाते हैं।

 

लचीली खरीद: हम छोटे बैच के नमूना खरीद और बड़े मात्रा के ऑर्डर दोनों का समर्थन करते हैं, जो प्रतिस्पर्धी बाजार मूल्य निर्धारण प्रदान करते हैं।

V. खरीद और संपर्कयदि आप एक दूरसंचार अवसंरचना परियोजना के लिए BSC160N15NS5


के लिए एक विश्वसनीय आपूर्ति स्रोत की तलाश कर रहे हैं, तो कृपया नवीनतम कोटेशन के लिए मिन्गजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स से संपर्क करें।

मोबाइल: +86 13410018555

ईमेल: sales@hkmjd.com


पता: रूम 1239–1241, न्यू एशिया गुओली बिल्डिंग, झेनझोंग रोड, फुतियन जिला, शेन्ज़ेन, गुआंग्डोंग प्रांत

पब समय : 2026-09-14 10:45:06 >> समाचार सूची
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