आपूर्ति हम एक सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादःSiC डायोड,SiC MOSFET,SiC पावर मॉड्यूल
शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,चीन में इलेक्ट्रॉनिक घटकों के अग्रणी आपूर्तिकर्ता के रूप में, ¥ गुणवत्ता पहले, ग्राहक केंद्रित,∙ बढ़ती संख्या में ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्ति सेवाएं प्रदान करने के लिए उत्पाद की गुणवत्ता और सेवा मानकों में निरंतर सुधार करना.
मुख्य उत्पादों में निम्नलिखित शामिल हैंः5जी चिप्स, नई ऊर्जा आईसी, आईओटी आईसी, ब्लूटूथ आईसी, वाहन नेटवर्क आईसी, ऑटोमोटिव ग्रेड आईसी, संचार आईसी, कृत्रिम बुद्धिमत्ता आईसी, मेमोरी आईसी, सेंसर आईसी, माइक्रोकंट्रोलर आईसी,ट्रांससीवर आईसी, ईथरनेट आईसी, वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक।
सिलिकॉन कार्बाइड
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) मध्यम से उच्च वोल्टेज बिजली घटकों के लिए व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली अर्धचालक सामग्री है। यह व्यापक बैंड गैप और उच्च थर्मल चालकता के इसके अंतर्निहित गुणों के कारण है।
सीआईसी डायोड
वीएन-सेमी सीआईसी डायोड 650 वी और 1200 वी प्लेटफार्म प्रदान करता है, जिसमें सबसे अच्छी उत्पाद प्रतिस्पर्धात्मकता प्रदान करने के लिए छोटे चिप आकार और 150um पतले वेफर के साथ विशेषता है।WeEn Gen-6 SiC SBD अति-कम Vf (सामान्य 1.26V) और ईपीआई परत और वेफर पतला करने के डोपिंग एकाग्रता का अनुकूलन करके अत्यंत कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध प्रदान करता है।वीएन की अभिनव एमपीएस संरचना स्पष्ट रूप से वर्तमान उछाल क्षमता को बढ़ाती हैउन्नत एजी-सिंटरिंग तकनीक उत्पाद के प्रदर्शन और विश्वसनीयता का सही संयोजन बनाती है।
SiC MOSFETs
SiC MOSFET WeEn-semi का Gen-2 प्लैनर गेट सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET, जो जेएफईटी चौड़ाई और स्रोत संपर्क क्षेत्र चौड़ाई जैसे प्रमुख मापदंडों को अनुकूलित करके, वेफर डिजाइन में 12mΩ/1200V द्वारा दर्शाया गया है,छोटे सेल आकार का उपयोग कर, उन्नत SiC वेफर पतला प्रौद्योगिकी के साथ संयुक्त
सीआईसी पावर मॉड्यूल
वीईएन के सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल उत्पादों में आधा-ब्रिज और पूर्ण-ब्रिज टोपोलॉजी के साथ प्रेसफिट मॉड्यूल, साथ ही एकीकृत बुद्धिमान ड्राइवरों के साथ सिस्टम-स्तरीय समाधान शामिल हैं।ये मॉड्यूल एक अनुकूलित पैकेज में कई SiC चिप्स को एकीकृत करते हैं, ग्राहक प्रणाली डिजाइन को सरल करते हुए सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री के उच्च आवृत्ति और उच्च दक्षता के लाभों का पूरी तरह से लाभ उठाते हैं।
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